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    SG-8002CE 参数 Datasheet PDF下载

    SG-8002CE图片预览
    型号： SG-8002CE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体振荡器 [CRYSTAL OSCILLATOR]
    分类和应用： 振荡器晶体振荡器
    文件页数/大小： 4 页 / 482 K
    品牌： EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
     浏览型号SG-8002CE的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SG-8002CE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SG-8002CE的Datasheet PDF文件第4页  
    振荡器
    晶体振荡器
    爱普生拓优科梦
    规格SG- 8002系列_大纲
    项
    模型
    当前
    消费记录
    化
    供应
    电压
    4.5 V至5.5 V
    15 pF的
    3.0 V至3.6 V
    15 pF的
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    输出负载条件
    输出上升时间
    输出下降时间
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,
    L_CMOS =最大值）。
    对称
    功能
    PH
    30毫安
    SG-8002LB
    （ SOJ 4针）
    SH
    SC
    马X.
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的
    ,
    f
    0
    ≤80
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    OE
    ST
    PC
    28毫安
    马X.
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，V
    CC
    = 2.7 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤40
    兆赫）
    OE
    f
    0
    ≤125
    兆赫）
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫）
    ST
    OE
    ST
    SG-8002CA
    （ SON ）
    SG-8002JA
    （ SOJ 4针）
    SG-8002DB
    （ DIP 14针）
    SG-8002DC
    （ DIP 8针）
    PT
    ST
    45毫安
    PH
    SH
    PC
    28毫安3.0 V至3.6 V
    SC
    PT
    ST
    45毫安
    4.5 V至5.5 V
    马X.
    马X.
    5 TTL + 15 pF的（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    25 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    5 TTL + 15 pF的（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤55
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    4.5 V至5.5 V
    25 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    50 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤55
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    25 PF（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    15 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ 2.7 〜3.6 V）
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ 3.0〜 3.6 V ）
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    30 PF（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ 3.0〜 3.6 V ）
    5TTL + 15 pF的（
    f
    0
    ≤90
    兆赫/ -20至+ 70 ° C）
    45 ％至55％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    2.0 ns（最大值） 。
    ↑
    （ 1.4 V， L_TTL = 5 TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤40.0
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    （ 0.8 V至2.0 V， L_CMOS或L_TTL =最大值）。
    40 ％至60％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    4.0 ns（最大值） 。
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 25 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    （ 0.4 V至2.4 V ， L_CMOS或L_TTL =最大值）。
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤55.0
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,L_CMOS≤25)
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_MOS = 25 pF的，
    f
    0
    ≤40.0
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    OE
    ST
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    4.0 ns（最大值） 。
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 50 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤55.0
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,L_CMOS≤15)
    4.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    2.0 ns（最大值） 。
    （ 0.8 V至2.0 V， L_CMOS或L_TTL =最大） 40 ％至60 ％ （ 1.4 V， L_TTL = 5 TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤90.0
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    4.0 ns（最大值） 。
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 25 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    （ 0.4 V至2.4 V ， L_CMOS或L_TTL =最大值）。
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,L_CMOS≤25)
    4.0 ns（最大值） 。
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,L_CMOS≤15)
    4.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    2.0 ns（最大值） 。
    （ 0.8 V至2.0 V， L_CMOS≤25 ）
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ,
    L_CMOS = 25 pF的
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的，
    f
    0
    ≤90
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 50 pF的，
    45 ％至55％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 30 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，V
    CC
    = 2.7 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤40
    兆赫）
    OE
    f
    0
    ≤125
    兆赫）
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫）
    ST
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    25 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    25 PF（
    f
    0
    ≤90
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    OE
    ST
    SG-8002JC
    （ SOJ 4针）
    PH
    SH
    PC
    SC
    PT
    ST
    马X.
    OE
    ST
    50 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ 2.7 〜3.6 V）
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    ↑
    f
    0
    ≤50
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    28毫安
    马X.
    3.0 V至3.6 V
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ 3.0〜 3.6 V ）
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    30 PF（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ 3.0 to3.6 V）
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 30 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，V
    CC
    = 2.7 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤40
    兆赫）
    OE
    f
    0
    ≤125
    兆赫）
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫）
    ST
    OE
    ST
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    25 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    5TTL + 15 pF的（
    f
    0
    ≤
    90兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    SG-8002JF
    （ SOJ 4针）
    45毫安
    PH
    马X.
    4.5 V至5.5 V
    SH
    PC
    SC
    PT
    ST
    40毫安
    SG-8002CE
    （ SON ）
    马X.
    4.5 V至5.5 V
    28毫安
    马X.
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    25 PF（
    f
    0
    ≤90
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    50 PF（
    f
    0
    ≤50
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    4.0 ns（最大值） 。
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    （ 0.4 V至2.4 V ， L_CMOS或L_TTL =最大值）。
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    3.0 ns（最大值） 。
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的
    f
    0
    ≤90.0
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,L_CMOS≤25)
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 50 pF的，
    f
    0
    ≤50.0
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    4.0 ns（最大值） 。
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    3.0 ns（最大值） 。
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,L_CMOS≤15)
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， CL = 30 pF的，V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤40
    兆赫）
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， CL = 15 pF的，V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤125
    兆赫）
    45 ％至55％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    40 ％至60％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤90
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ↑
    （ 1.4 V， L_CMOS = 25 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    OE
    ST
    3.0 V至3.6 V
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ 3.0〜 3.6 V ）
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    30 PF（
    f
    0
    ≤40
    兆赫/ 3.0〜 3.6 V ）
    15 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ 2.7 〜3.6 V）
    OE
    ST
    5 TTL + 15 pF的（
    f
    0
    ≤27
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    5 TTL + 15 pF的（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    4.0 ns（最大值） 。
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， CL = 15 pF的，V
    CC
    = 2.7 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫）
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    2.0 ns（最大值） 。
    45 ％至55％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    （ 0.8 V至2.0 V， L_TTL =最大值）。
    4.0 ns（最大值） 。
    （ 0.4 V至2.4 V ， L_TTL =最大值）。
    3.0 ns（最大值） 。
    ↑
    （ 1.4 V， L_TTL = 5 TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤27.0
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    40 ％至60％ （1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    OE
    ST
    PH
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的
    ,
    SH
    PC
    28毫安
    SC
    马X.
    25 PF（
    f
    0
    ≤100
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    25 PF（
    f
    0
    ≤27
    兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）
    3.0 V至3.6 V
    15 PF（
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ 2.7 〜3.6 V）
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    15 PF（
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ 3.0〜 3.6 V ）
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 25 pF的，
    f
    0
    ≤27.0
    兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ， L_CMOS =最大值）。
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的
    f
    0
    ≤125
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    ,
    3.0 ns（最大值） 。
    45 ％至55％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤40
    兆赫）
    ,
    (20 % V
    CC
    到80 ％的V
    CC
    ,
    L_CMOS =最大值）。
    40 ％至60％ （50 ％的V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的V
    CC
    = 3.0 V至3.6 V ，
    ,
    ↑
    (50 % V
    CC
    ， L_CMOS = 15 pF的，V
    CC
    = 2.7 V至3.6 V ，
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）
    OE
    ST
    f
    0
    ≤125
    兆赫）
    f
    0
    ≤66.7
    兆赫）
    ST
    OE
    ►
    表频率范围
    模型
    PT / ST
    PH / SH
    PC / SC
    PH / SH
    SG-8002LB
    PC / SC
    PT / ST
    PH / SH
    PC
    SC
    PT / ST
    PH / SH
    PC / SC
    PT / ST
    PH / SH
    PC / SC
    3.3 V±0.3 V
    4.5 V至5.5 V
    3.0 V至3.6 V
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    4.5 V至5.5 V
    3.0 V至3.6 V
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    4.5 V至5.5 V
    3.0 V至3.6 V
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    电源电压
    4.5 V至5.5 V
    3.0 V至3.6 V
    （ 2.7 V至3.6 V ）
    5.0 V±0.5 V
    频率容差
    OperatingTemperature
    B，C
    M
    B， C，M
    B，C
    M，L
    B，C ， M，L
    B，C
    M
    B， C，M
    B，C
    M
    B， C，M
    B
    C
    B
    C
    频率
    1兆赫
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    *2.7
    V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    *2.7
    V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    1.0 MH ž
    *2.7
    V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的
    55 MH ž
    125 MH ž
    *2.7
    V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的
    125 MH ž
    125 MH ž
    125 MH ž
    27 MH ž
    125 MH ž
    *2.7
    V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的
    125 MH ž
    40 MH ž
    125 MH ž
    80 MH ž
    50兆赫
    27 MH ž
    100兆赫
    125兆赫
    125 MH ž
    125 MH ž
    SG-8002CE
    SG-8002JF
    SG-8002CA
    SG-8002JA
    SG-8002DB
    SG-8002DC
    SG-8002JC
    频率容限： B： ± 50 × 10
    -6
    （ -20 ° C至+ 70 ° C） ， C： ± 100 × 10
    -6
    （ -20 ° C至+ 70 ° C） ， M： ± 100 × 10
    -6
    （ -40 ° C至+ 85 ° C） ， L： ± 50 × 10
    -6
    （ -40 ° C至+ 85 ° C）
    http://www.epsontoyocom.co.jp

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