晶体振荡器
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产品号码（请联系我们）
电压-CONTROLLED晶体振荡器（ VCXO ）
X1G00Xxxxxxxx00
TCO - 2000
/
2100
系列
¡频率
范围
●供应
电压
¡频率
控制范围
■特点
:
1 MHz至800 MHz的
:
3.3 V或5.0 V
:
±100 ×
10
-6
分钟。
:
高可靠性（20岁老化）
:
宽广的频率控制范围
:
低相位噪声，低抖动
:
与HFF - XTAL技术
基本振荡（ 60 MHz到230 MHz的）
倍频振荡（ fo≥230兆赫）
实际尺寸
实际尺寸
TCO -2000系列
TCO -2100系列
规格（特征）
项
输出频率范围
电源电压
存储温度范围
工作温度范围
频率容差
消耗电流
频率控制范围
绝对拉范围
输入阻抗
频率变化的极性
符号
特定网络阳离子
TCO-2001
TCO-2003
TCO-2002
TCO-2004
TCO-2101
TCO-2103
TCO-2102
TCO-2104
8.000 MHz到78.000 MHz的
8.000 MHz至125.000兆赫
5.0 V ±0.25 V
3.3 V ±0.165 V
-45°C至+ 90 ℃，
-40 ° C至+85°C
按表1中
最大50 mA 。
按表1 。
按表1 。
(V
C
=2.5 V ±2 V)
(V
C
=1.65 V ±1.65 V)
按表1中
100 kΩ的分。
正斜率
2 TTL最大。
-
-
2 TTL最大。
15 pF的最大值。
-
最大10 ms 。
*1
按表1中
15 pF的最大值。
+25 °C
备注
6PIN ， OE功能
备注
4针
6 PIN
f
O
V
CC
T_stg
T_use
f_tol
I
CC
f_cont
APR
凛
-
拆包后的保存裸产品
-40 ° C至+85°C
直流电平
V
C
= 0 V至3.3 V
或V
C
-0.5 V至4.5 V
输出负载条件下（ TTL ）
L_TTL
输出负载条件（ CMOS ） L_CMOS
启动时间
t_str
频率老化
f_aging
规格（特征）
项
符号
输出频率范围
f
O
电源电压
V
CC
存储温度范围
T_stg
工作温度范围
T_use
频率容差
f_tol
消耗电流
I
CC
频率控制范围
f_cont
绝对拉范围
APR
输入阻抗
凛
频率变化的极性
―
输出负载条件下（ TTL ）
L_TTL
输出负载条件（ CMOS ） L_CMOS
启动时间
t_str
频率老化
f_aging
特定网络阳离子
TCO-2106
TCO-2107
1.000 MHz到80.000 MHz的
3.3 V
±0.165
V
-45°C至+ 90 ℃，
-40 ° C至+85°C
按表1中
mA（最大值） 30 。
按表1中
按表1中
100 kΩ的分。
正斜率
2 TTL最大。
―
―
15 pF的最大值。
最大10 ms 。
*1
按表1中
特定网络阳离子
TCO-2112
拆包后的保存裸产品
-40 ° C至+85°C
V
C
= 1.65 V
±1.65
V
直流电平
V
C
= 0 V至3.3 V
+25 °C
备注
规格（特征）
项
输出频率范围
电源电压
存储温度范围
工作温度范围
频率容差
消耗电流
频率控制范围
绝对拉范围
输入阻抗
频率变化的极性
输出电平
启动时间
频率老化
符号
TCO-2111
3.3 V
±0.165
V
TCO-2114
60.000 MHz至
230.000兆赫
3.3 V
±0.165
V
6 PIN
f
O
V
CC
T_stg
T_use
f_tol
I
CC
f_cont
APR
凛
―
―
t_str
f_aging
60.000 MHz至800.000兆赫
5.0 V
±0.25
V
-45°C至+ 90 ℃，
-40 ° C至+85°C
按表1中
最高65毫安。
按表1中
按表1中
(V
C
= 1.65 V
±1.65
V) (V
C
= 2.5 V
±2
V)
按表1中
100 kΩ的分。
正斜率
LV- PECL
PECL
最大10 ms 。
*1
按表1中
拆包后的保存裸产品
-40 ° C至+85°C
40毫安最大。
按表1中
(V
C
= 1.65 V
±1.65
V)
直流电平
V
C
= 0 V至3.3 V
或V
C
-0.5 V至4.5 V
LVDS
+25 °C
http://www.epsontoyocom.co.jp
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
