晶体单元
小缸低/中频
晶体单元
C-4-TYPE
•光刻允许成品均匀稳定
性能。
•体积小，重量轻。 （ ø1.5 x 6mm的）
•优异的耐冲击性和环保性能。
•最适合寻呼机和卡产品，如PCMCIA 。
实际尺寸
规格（特征）
项
符号
f
T
英镑
T
OPR
GL
DL
T
SOL
∆f/f
θT
a
C
L
特定网络阳离子
32.000 kHz至120.000 kHz的
192千赫
-20 ° C至+ 70°C
-10℃至+ 60℃
1.0W最大。
0.1μW （典型值） 。
下280℃ ，在5秒。
±50ppm,±100ppm
25˚C ±5˚C
-0.04ppm / C
2
马克斯。
为6.0pF到
∞
32千赫
≤
˚F < 40千赫：
40千赫
≤
˚F < 60千赫：
60千赫
≤
˚F < 70千赫：
70千赫
≤
f
≤
100的kH
z:
100千赫< ˚F
≤
120的kH
z:
192千赫：
55 kΩ最大。
30 kΩ最大。
25 kΩ最大。
22 kΩ最大。
15 kΩ最大。
10 kΩ最大。
请具体说明
不超过150°C加热所述包
TA = 25°C ， DL = 0.1μW
备注
请参考下面的频率列表
标称频率
温度
范围
储存温度
工作温度
最大驱动电平
推荐的驱动电平（特征）
焊接条件
频率公差（标准）
峰值温度（频率）
温度系数（频率）
负载电容
串联电阻
R
1
动态电容
旁路电容
绝缘电阻
老化
耐冲击性
C
1
C
0
IR
fa
S.R.
3.0fF最大。
取1.5pF最大。
500莫分钟。
时±5ppm /年MAX 。
± 5ppm的MAX 。
TA = 25°C ± 3C所示，第一年
三滴在硬板75厘米激发
测试与3000G X 0.3ms X 1/2正弦波×3方向
例如频率
TYPE
频率
26.6667千赫
32.5600千赫
36.8640千赫
38.4000千赫
44.7340千赫
C-2-TYPE
48.0000千赫
75.0000千赫
77.5030千赫
76.8000千赫
96.0000千赫
153.6000千赫
307.2000千赫
38.4000千赫
C-4-TYPE
50.0000千赫
76.8000千赫
77.5030千赫
192.0000千赫
C
L
价值
外形尺寸
10.0pF ， 11.0pF
7.0pF
13.5pF
10.0pF
10.0pF
15.0pF
6.5pF ， 9.0pF ， 20.0pF
10.0pF ， 20.0pF
6.0pF ， 10.0pF ， 11.0pF
6.0pF ， 8.4pF ， 11.0pF
11.0pF
11.0pF
11.0pF
9.0pF
11.0pF
10.0pF
11.0pF
（单位：毫米）
B
D
2
D
1
L
1
L
2
模型
C-2-TYPE
C-001R
C-002RX
C-004R
C-005R
C-4-TYPE
（ 160〜 165kHz ， 307.2 kHz的：D
1
= ø2.2最大。 ）
L
1
6.0 MAX 。
8.0最大。
6.0 MAX 。
5.0最大。
4.6 MAX 。
5.0最大。
L
2
4.0分钟。
9.0分钟。
4.0分钟。
4.0分钟。
4.0分钟。
4.0分钟。
D
1
± 2.0最大。
ø3.1最大。
± 2.0最大。
± 1.5最大。
ø1.2 MAX 。
± 1.5最大。
D
2
ø0.2
ø0.3
ø0.2
ø0.2
ø0.15
ø0.2
B
0.7
1.1
0.7
0.5
0.3
0.5
15
EPSON [ EPSON COMPANY ]
