晶体振荡器
高精度高周波水晶発振器
HG-2150CA
�½品型番（２ページを参照）
Q3514CA0xxxxx00
リフロー可�½な高密度実装対応SMD.
●
耐热内部构造により，泛用贴片ICと同等の耐热性を実现
●
C-MOS ICの�½�用により�½�消費電流を実現
●
電源電圧5.0 V
（ SVH / BXH ）
、3.3 V
（ SVC / BXC ）
対応
●
输出使能OE ）
（
機�½により消費電力の�½�減可�½
●
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
出力周波数範囲
電源電圧
温度範囲
記 号
仕 様
SVH / BXH
SVC / BXC
1.0000 MHz~60.0000兆赫
-0.5 V∼+7.0 V
H： 5.0 V± 0.5 V
C： 3.3 V± 0.3 V
-40 ˚C∼+125 ˚C
V ： -20 ˚C~ + 70℃， X： -40 ˚C~ + 85℃
S：±15
×
10
-6
、B ：±25
×
10
-6
※
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 25 。
mA（最大值） 25 。
mA（最大值） 20 。
45 %
to
55 %
V
DD
-
0.4分钟。
0.4 V最大。
15 pF的最大值。
0.7 V
DD
分钟。
0.3 V
DD
马克斯。
4 ns（最大值） 。
4 ns（最大值） 。
最大10 ms 。
±10
×
10
-6
马克斯。
単品での保存
S： -20 ˚C~ + 70℃， B： -40 ˚C~ + 85℃
无负荷时， OE = V
DD
OE = GND
1 / 2V
DD
レベル
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
CMOS出力
OE端子
20 %→80 %V
DD
レベル
80 %→20 %V
DD
レベル
最小値動�½�電圧時のt を0とする。
TA = + 25 ˚C 10
YEAR
条 件
く さい
60兆赫\u003cF
0
≦ 80兆赫についてはお问い合せだ
f
O
最 大 供 給 電 圧 V
DD
-GND
動 �½� 電 圧
V
DD
保 存 温 度
動 �½� 温 度
T
英镑
T
OPR
f / f
O
l
OP
l
OE
t
W
/ t
V
OH
V
OL
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
f
a
周波数安定度
消 費 電 流
ディセーブル電流
デ ュー テ ィ
“Ｈ”レベル出力電圧
“Ｌ”レベル出力電圧
出力負荷条件
“Ｈ”レベル入力電圧
“Ｌ”レベル入力電圧
出力上昇時間
出力下降時間
発振開始時間
経 時 変 化
※周波数初期偏差、リフロー特性、周波数温度特性、電源電圧変動特性、負荷変動特性を含む。
■安定度／動�½�温度範囲
記 号
SVH / SVC
BXH / BXC
安 定 度
±15×10
-6
-6
動�½�温度範囲
-20 ℃∼+70 ℃
-40 ℃∼+85 ℃
±25×10
■外�½�寸法図
（単�½�：mm） ■推奨はんだ付けパターン図
1.4 #4
1.8
（単�½�：mm）
#4
#3
#3
5.0±0.2
E 35.3280
PH0073A
#1
2.6
1.1
1.5最大。
号
ピン端子
1 OE
2
プリGND
3 OUT
3.9
7.0±0.2
#2
#2
5.08
#1
5.08
5.08
4 V
DD
1.5
60
EPSON [ EPSON COMPANY ]
