晶体振荡器
SIP低/中频晶振
SG-10
产品编号
Q 31 1 0 0 0 0 X X X X X 0 0
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低电流消耗。
小适合于高密度安装。
可安装在一标准的印刷电路板。
圆柱低/中频晶体单元内置，从而保证高
可靠性。
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
电源电压
温度范围
马克斯。电源电压
工作电压
符号
f
0
V
DD
-GND
V
DD
T
英镑
T
OPR
∆f/f
0
特定网络阳离子
10.0000 Hz至153.6000千赫
0.3 V至7.0 V
4.5 V至5.5 V
备注
对于输出频率，见下表
储存温度
工作温度
-55 °
C
至+125°
C
-10
°
C至+70
°
C
答： ± 10 ×10
-6
B： ± 50 ×10
-6
+10 x 10
-6
/ -120 x 10
-6
±10 x 10
-6
马克斯。
拆包后的裸存
频率容差
频率温度特性
频率电压特性
消耗电流
税
输出电压
输出负载条件下（扇出）
输出上升时间
输出下降时间
振荡启动时间
老化
耐冲击性
V
DD
= 5 V的Ta = + 25°C
-10 ° C至+ 70 ° C，服用TA = + 25 ° C作为参考
l
OP
t
W
/
t
V
OH
V
OL
N / C
L
t
TLH
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
0.5毫安最大..
40％至60％的
（除了1/3和1/ 5例分频）。
V
DD
-1.0 V MIN 。
0.4 V最大。
1 TTL最大/ 15 pF的最大值。
60 ns（最大值） 。
50 ns（最大值） 。
空载条件
1/2 V
DD
或1.4 V电平
I
OH
= -40 µA
I
OL
= 1.6毫安
负载TTL / C- MOS负载
超过1毫秒，直到V
DD
=0 V→4.5 V.
1秒以内。
±5 ×10 18 /年最大值。
-6
在4.5 V的时间是0秒
TA = + 25 ° C± 3 ° C，V
DD
= 5 V ，第一年
±5 x 10
-6
马克斯。
三滴在硬板750毫米或激发试验
与29400米/ s的
2
×0.3毫秒（1/2） 3个方向的正弦波
除非另有说明，在上面的表中示出的特性（规格）的基础上，在额定工作温度和电压条件。
外形尺寸
4.6 MAX 。
16.0最大。
（单位：毫米）
输出频率表
振荡源
的32.768 kHz ， 60.000千赫， 96.000千赫， 100.000 kHz时，
153.600千赫
Ë SG - 10 B
32.768千赫
0131A
0.5
8.8最大。
分频
产量
（计算方法）
振荡源频率×（ 1/1任意1 ， 1/2 ， 1/3 ，
1/4 ， 1/5 ， 1/6 ， 1/12 ）×（ 1/1任意之一， 1/10 ， 1/100 ，
1/1000 ） 。超过10.0 Hz范围内。
(7.5)
对于频率除上述以外的，请与我们联系。 （最小单批号10000个）
7.0
(1.3)
输出频率的例子
振荡源
的32.768 kHz ， 60.000 kHz的
100.000 kHz时， 153.600千赫
， 96.000千赫，
#1
0.25
2.1
2.54
#2
2.54
#3
号
引脚端子
1
2
3
GND
OUT
V
DD
分频
31
10.000赫兹， 50.000赫兹， 100.000赫兹， 1.000千赫，
4.800千赫， 9.600千赫， 19.200千赫， 38.400千赫，
50.000千赫， 76.800千赫
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