晶体振荡器
32KHz的晶体振荡器
SG-3032JC
•与32.768kHz晶体单元内置的需要进行调整。
•使用C-MOS IC能够降低电流消耗。
•小适合于高密度安装。
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
电源电压
温度范围
马克斯。电源电压
工作电压
符号
f
0
V
DD
-GND
V
DD
T
英镑
T
OPR
T
SOL
∆f/f
0
特定网络阳离子
32.768千赫
-0.3V至+ 4.3V
1.8V至3.6V
备注
储存温度
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
-20 ° C至+ 70°C
两次在260℃下，在10秒内。
B： 5 ± 23ppm的C： 5 ± 50PPM D： 5 ± 100ppm的
+为10ppm / -120ppm
±为2ppm / V最大。
V
DD
= 3.3V的Ta = 25℃
-20°C至+ 70°C ，服用的Ta = 25℃为基准
Ta=25˚C
空载条件
1/2 V
DD
水平
I
OH
= -50mA
I
OL
=+0.5mA
C-MOS负载
C- MOS负载： 20 ％ / 80 ％
V
DD
C-MOS负载：80 ％/ 20 ％的V
DD
1ms以上，直到V
DD
=0V→1.8V.
3S最大。
时±5ppm /年MAX 。
± 5ppm的MAX 。
在1.8V的时间为0秒。
TA = 25° C，V
DD
= 3.3V ，第一年
焊接条件
频率容差
频率温度特性
频率电压特性
消耗电流
税
输出电压
输出负载条件下（扇出）
输出上升时间
输出下降时间
振荡启动时间
老化
耐冲击性
l
OP
t
W
/
t
V
OH
V
OL
C
L
t
TLH
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
5μA最大。
40％至60％的
V
DD
-0.4V MIN 。
0.4V MAX 。
15pF的MAX 。
最大为100ns 。
最大为100ns 。
三滴在硬板75厘米激发
测试与3000G X 0.3ms X 2分之1正弦波3
方向
除非另有说明，在上面的表中示出的特性（规格）的基础上，在额定工作温度和电压条件。
外形尺寸
（单位：毫米）
推荐焊接模式
（单位：毫米）
10.5最大。
#4
#3
号引脚端
1
2
3
NC
GND
OUT
V
DD
SG3032 B
ê 9123A
#1
#2
5.0
4
5.8max.
0.05
分钟。
2.7
马克斯。
0.5
5.08
(1.0)
3.6
(1.0)
1.3
3.8
1.3
2.1
2.5
2.1
30
EPSON [ EPSON COMPANY ]
