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SG-51P 参数 Datasheet PDF下载

SG-51P图片预览
型号: SG-51P
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内容描述: 晶体振荡器( HCMOS / TTL双列直插式塑料FULL SIZE SG - 51 /半角SG- 531 ) [Crystal Oscillators(HCMOS/TTL DUAL IN LINE PLASTIC FULL SIZE SG-51/ HALF SIZE SG-531)]
分类和应用: 振荡器晶体振荡器
文件页数/大小: 3 页 / 129 K
品牌: EPSON [ EPSON COMPANY ]
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晶体振荡器 - 精工爱普生
HCMOS / TTLD UA LINLINEPLASTICFULLSIZ ESG - 5 1 / HALFSIZESG - 5 3 1
SG - 51 /半长SG531
SG531
特点
•频率范围1.025MHz - 125.0MHz
•圆柱型AT切割石英晶体建成,
从而确保高可靠性
•适用于自动插入
•使用CMOS IC中能够减少电流
消费
•输出负载10LSTTL / 30-50pF
•提供输出使能和待机
功能 - SG51P和SG531P系列
•引脚与8引脚和14引脚兼容的金属罐
版本
•封装在一个塑料DIP封装可节省电路板
空间
•广泛的股票持有SG531系列
SG51
特定网络阳离子
符号
SG-51P/531P
输出频率范围
fo
1.0250MHz到
26.0000MHz
特定网络阳离子
SG - 51PTJ / 531 PTJ
备注
SG-51PH/531PH
26.0001MHZ为66.6667MHZ
电源
马克斯。电源电压V
pp
-GND
电压
工作电压
V
DD
T
英镑
温度
储存温度。
T
OPR
范围
工作温度。
T
SOL
焊接条件(铅部分)
ΔF / FO
频率稳定度
消耗电流
C-MOS级
TTL电平
输出电压
垂耳
TW / T
V
OH
(I
OH
)
V
OL
(I
OL
)
CL
N
V
IH
V
IL
I
OE
T
TLH
T
THL
t
OSC
fa
S.R.
输出负载
C-MOS
条件(扇出) TTL
输出启用/禁用输入电压
禁止输出电流
产量
C-MOS级
上升时间
TTL电平
产量
C-MOS级
下降时间
TTL电平
振荡启动时间
老化
耐冲击性
-0.3V至+ 7.0V
5.0V±0.5V
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 100°C
-10 ° C至+ 70°C
在10秒内260℃。
B: ± 50PPM
C: ± 100ppm的
23毫安MAX 。
最大35mA 。
40%至60%的
40%至60%的
45 %至55%的
2.4V最小。
V
DD
-0.4V MIN 。
V
DD
- 0.4V最小。
-400µA
-4µA
0.4V MAX 。
16mA
8mA
4mA
50pF的MAX 。
50pF的MAX 。
10TTL MAX 。
5TTL MAX 。
2.0V敏
3.5V最小。
2.0V最小。
0.8V
1.5V MAX 。
0.8V最大。
12毫安MAX 。
28毫安MAX 。
20mA的最大。
8nsec.MAX
8nsec.MAX
4毫秒。 MAX 。
5nsec 。 MAX
5nsec 。 MAX
7nsec 。 MAX 。
7nsec 。 MAX 。
不要加热包超过150℃
-10 ° C至+ 70°C
B型有可能高达55.0MHz
空载条件
1.2V
DD
水平
1.4V电平
10毫秒。 MAX 。
时±5ppm /年MAX 。
± 20ppm的MAX 。
I
IH
= 1
µ
A最大( OE = V
DD
)
I
IL
=-100
µ
A起价。 ( OE = GND ) , PTJ : -500
µ
A
OE = GN
C-MOS负载:20% 〜80 %的V
DD
TTL负载: 0.4V至2.4V
C-MOS负载:80% 〜20 %的V
DD
TTL负载: 2.4V至0.4V
余为1毫秒,直到V
DD
= 0V至4.5V
在4.5V的时间为0秒。
TA = 25∘C ,V
DD
= 5V ,第一年
从硬板砸三次测试
75厘米高度或激发试验与3000G X
0.3ms X 1/2正弦波3个方向。
笔记
•在上表中示出,除非另有说明,特性(规格)是基于额定
操作温度和电压条件。
•外部旁路电容。
TEL : + 4 4 1 6 3 5 5 2 8 5 2 0 FA X: + 4 4 1 6 3 5 5 2 8 4 4 3