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    SG-710ECK 参数 Datasheet PDF下载

    SG-710ECK图片预览
    型号： SG-710ECK
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高频晶体振荡器 [HIGH-FREQUENCY CRYSTAL OSCILLATOR]
    分类和应用： 振荡器晶体振荡器
    文件页数/大小： 2 页 / 125 K
    品牌： EPSON [ EPSON COMPANY ]
     浏览型号SG-710ECK的Datasheet PDF文件第1页  
    实际尺寸
    规格（特征）
    项
    输出频率范围
    符号
    f
    0
    SG-710PTW/STW
    SG-710PHW/SHW
    特定网络阳离子
    SG-710PCW/SCW
    66.6667 MHz至
    135.0000 MHz的
    备注
    80.0001 MHz至135.0000 MHz的
    电源
    马克斯。电源电压
    V
    DD
    -GND
    V
    DD
    电压
    工作电压
    T
    英镑
    温度
    储存温度
    T
    OPR
    范围
    工作温度
    T
    SOL
    焊接条件（铅部分）
    频率稳定度
    消耗电流
    禁止输出电流
    禁止输出电流
    C-MOS级
    税
    TTL电平
    输出电压
    ∆f/f
    0
    IOP
    Io
    E
    I
    ST
    TW / T
    V
    OH
    V
    OL
    C
    L
    V
    IH
    V
    IL
    t
    TLH
    t
    THL
    t
    OSC
    fa
    S.R.
    输出负载条件下（扇出）
    OUTPUT ENABLE
    禁止输入电压
    C-MOS级
    产量
    TTL电平
    上升时间
    C-MOS级
    产量
    TTL电平
    下降时间
    振荡启动时间
    老化
    耐冲击性
    -0.5 V至7.0 V
    5.0
    V±0.5 V
    3.3
    V±0.3 V
    -55 ° C至+125°C
    -20
    °C
    +70
    °C
    -40
    °C
    +85
    °C
    两次下260
    °
    C
    在10秒或在230
    °
    C
    在3分钟内。
    B: ±50
    x 10
    -6
    C: ±100
    x 10
    -6
    M: ±100
    x 10
    -6
    mA（最大值） 45 。
    28毫安最大。
    mA（最大值） 30 。
    mA（最大值） 16 。
    50
    µA
    马克斯。
    —
    40％至60％的
    40％至60％的
    —
    V
    DD
    -0.4 V MIN 。
    0.4 V最大。
    15 pF的最大值。
    0.7 V
    DD
    分钟。
    2.0 V分钟。
    0.2 V
    DD
    马克斯。
    0.8 V最大。
    3 ns（最大值） 。
    —
    3 ns（最大值） 。
    —
    4 ns（最大值） 。
    —
    3 ns（最大值） 。
    —
    3 ns（最大值） 。
    —
    4 ns（最大值） 。
    —
    最大10 ms 。
    ±5 x 10
    -6
    /年最大。
    ±20 x 10
    -6
    马克斯。
    -20 ° C至+ 70°C
    -40 ° C至+85°C
    空载条件
    OE = GND （ P * W）
    ST = GND （S * W）
    C- MOS负载： 1 / 2V
    DD
    TTL负载： 1.4 V
    I
    OH
    = -16
    m
    A（ * TW / HW ） / - 8毫安（
    * CW）
    I
    OL
    = -16
    m
    A（ * TW / HW） / 8毫安（
    * CW）
    OE ， ST
    OE ， ST
    C- MOS负载： 20 ％ → 80 ％V
    DD
    TTL负载： 0.4 V → 2.4 V
    C- MOS负载： 80 ％ → 20 ％V
    DD
    TTL负载： 2.4 V → 0.4 V
    在4.5 V的时间是0秒
    TA = + 25 ° C，V
    DD
    =5 V
    三滴在硬板750毫米
    与29400米/ s的激发试验
    2
    ×0.3毫秒（1/2）
    在3个方向的正弦波
    工作条件和频带
    工作条件
    频率稳定度： B
    （ -20至+70
    °C)
    5 V±0.5
    V
    频率稳定度：C
    （ -20至+70
    °C)
    频率稳定度：M
    （ -40 〜+ 85
    °C)
    频率稳定度： B
    （ -20至+70
    °C)
    3.3 V±0.3
    V
    频率稳定度：C
    （ -20至+70
    °C)
    频率稳定度：M
    （ -40 〜+ 85
    °C)
    1兆赫
    1.8
    SG-710PTK
    1.8
    SG-710PTK
    1.8
    SG-710PTK
    1.8
    26
    SG-710ECK
    1.8
    26
    SG-710ECK
    1.8
    26
    SG-710ECK
    67
    SG-710PCW/SCW
    67
    SG-710PCW/SCW
    135
    50
    SG-710PHK
    67
    SG-710PCW/SCW
    135
    135
    50
    SG-710PHK
    80
    50兆赫
    50
    SG-710PHK
    80
    SG-710PTW/STW/PHW/SHW
    80
    SG-710PTW/STW/PHW/SHW
    135
    100兆赫
    150兆赫
    135
    38

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