PF805-04
SRM20V100LLMX
7
SRM20V100LLMX
7
1M位的静态RAM
ge
LTA
武ñ
瓦特比S
罗PE CT
Ø ODU
Pr
s
描述
q
低电源电压
q
工作温度范围宽
q
低电源电流
q
访问时间为70ns （ 2.7V ）
q
131,072字× 8位异步
该SRM20V100LLMX
7
为131072字× 8位异步，静态随机存取存储器上的单片
CMOS芯片。其极低的待机功率要求使该器件非常适用于需要非易失性存储应用
带后备电池。 -25到85° C的工作温度范围使其非常适用于便携式设备。
内存异步和静态性质，无需外部时钟或刷新电路。无论是
输入和输出端口是TTL兼容的3态输出可以轻松扩展存储容量。
s
特点
q
使用温度范围宽..... -25〜 85°C
q
快速访问时间................. SRM20V100LLMX
7
70ns的（最大）
q
低电源电流..............待机： 0.6μA （典型值） ： LL版
0.3μA （典型值） ： SL版
操作： 8毫安/ 1MHz的（典型值）
q
完全静态.................无时钟要求
q
电源电压..................... 2.7V至3.6V
q
TTL兼容的输入和输出
q
用线或能力3态输出
q
非易失性存储装置与备用电池
SOP6-32pin （塑料）
q
套餐...... SRM20V100LLMX
7
SRM20V100LLTX
7
TSOP （
I
） -32pin （塑料）
SRM20V100LLRX
7
TSOP （
I
） -32pin -R1 （塑料）
SRM20V100LLKX
7
超薄TSOP （
I
） -32pin （塑料）
SRM20V100LLYX
7
超薄TSOP （
I
） -32pin -R1 （塑料）
s
引脚配置
(SOP6)
北卡罗来纳州
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
SRM20V100LLMT
（ TSOP /超薄TSOP ）
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
北卡罗来纳州
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
V
SS
I/03
I/02
I/01
A0
A1
A2
A3
SRM20V100LLTX/KX
s
框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1
CS2
10
X解码器
(TSOP-R1/Slim-TSOP-R1)
1024
存储单元阵列
1024×128×8
128×8
7
128
列门
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
北卡罗来纳州
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
SRM20V100LLRX/YX
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
V
SS
I/04
I/05
I/06
I/07
I/08
CS1
A10
OE
地址缓冲器
Y
解码器
CS1，CS2
芯片
控制
8
针
描述
A0到A16地址输入
WE
写使能
OE
OUTPUT ENABLE
CS1 ， CS2片选
I / O1到I / O8数据I / O
V
DD
电源（ 2.7V至3.6V ）
V
SS
电源（0V）
ñ。 Ç 。
无连接
OE
WE
OE ， WE
芯片
控制
I / O缓冲器
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4 I / O5 I / O6 I / O7 I / O8
1
EPSON [ EPSON COMPANY ]
