PTF 10125
135瓦, 1.4〜1.6 GHz的
GOLDMOS
™
场效应晶体管
描述
该PTF 10125是内部匹配,常见的来源N沟道
增强模式横向的MOSFET用于线性驱动器和
最终的应用程序从1.4至1.6千兆赫,如DAB / DRB中。其额定
在135瓦特最小功率OUTPT 。氮化物表面钝化和
全镀金确保优异的器件寿命和可靠性。
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内部匹配
在1.5 GHz的性能, 28 V
- 输出功率= 135瓦敏
- 功率增益为12.5 dB典型值
全镀金
氮化硅钝化
背面共源
优良的热稳定性
100%的批次追踪
典型的输出功率与输入功率
200
180
输出功率(瓦)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
3
6
9
12
15
A-12
101
3456
25
9
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1.3 A总
F = 1500兆赫
935
输入功率(瓦)
包20250
RF连接特定的阳离子
( 100%测试)
特征
收益
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 30 W,I
DQ
= 1.3 A总,
F = 1.50 , 1.55千兆赫)
输出功率在1 dB压缩
(V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.3 A总, F = 1.50 , 1.55千兆赫)
漏EF网络效率
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 135 W,I
DQ
= 1.3 A总, F = 1.5千兆赫)
负载不匹配公差
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 67.5 W,I
DQ
= 1.3 A总, F = 1.5 GHz的
- 所有相位角在测试的频率)
在T公布的所有数据
例
= 25°C ,除非另有说明。
符号
G
ps
民
11.5
典型值
12.5
最大
—
单位
dB
P-1dB
h
D
Y
135
35
—
150
40
—
—
—
10:1
瓦
%
—
e
1