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PTF10133图片预览
型号: PTF10133
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内容描述: 85瓦, 860-960兆赫GOLDMOS场效应晶体管 [85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 179 K
品牌: ERICSSON [ ERICSSON ]
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PTF 10133
85瓦, 860-960兆赫
GOLDMOS
场效应晶体管
描述
该PTF 10133是内部匹配85瓦特LDMOS FET
用于蜂窝, GSM和D-AMPS的应用程序。该装置
运行在50 %的效率,增益为13.5分贝。全镀金
保证了优异的器件寿命和可靠性。
内部匹配
在894 MHz时, 28伏的表现
- 输出功率= 85瓦
- 功率增益= 13.5 dB典型值
- 效率= 50%,典型值
全镀金
氮化硅钝化
优良的热稳定性
100%的批次追踪
典型的输出功率与输入功率
120
效率
60
50
40
输出功率(瓦)
100
80
60
40
20
输出电网
0
0
1
2
3
4
5
6
效率(%)
V
DD
= 28.0 V
I
DQ
= 1.0 A
F = 894 MHz的
30
20
10
0
A-12
3456
9947
1013
3
输入功率(瓦)
包20248
RF连接特定的阳离子
( 100%测试)
特征
收益
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 85 W,I
DQ
= 1.0 A, F = 894兆赫)
输出功率在1 dB压缩
(V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.0 A, F = 894兆赫)
漏EF网络效率
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 85 W,I
DQ
= 1.0 A, F = 894兆赫)
负载不匹配公差
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 85 W,I
DQ
= 1.0 A, F = 894 MHz的
- 所有相位角在测试的频率)
在T公布的所有数据
= 25°C ,除非另有说明。
符号
G
ps
P-1dB
h
Y
12.5
85
45
典型值
13.5
90
50
最大
10:1
单位
dB
%
e
1