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PTF10160图片预览
型号: PTF10160
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内容描述: 85瓦, 860-960兆赫GOLDMOS场效应晶体管 [85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 7 页 / 255 K
品牌: ERICSSON [ ERICSSON ]
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PTF 10160
85瓦, 860-960兆赫
GOLDMOS
®
场效应晶体管
描述
该PTF 10160是内部匹配85瓦
GOLDMOS
FET
用于蜂窝,GSM, D-AMPS和EDGE应用。时运行
阿泰用53 %的效率和16 dB的典型增益。全金metalliza-
化保证了优异的器件寿命和可靠性。
内部匹配
在960 MHz时, 26伏的表现
- 输出功率= 85瓦
- 功率增益= 16 dB典型值
- 效率= 53 %典型值
全镀金
氮化硅钝化
优良的热稳定性
100%的批次追踪
典型输出Power&效率与输入功率
120
100
70
60
效率
80
60
40
20
输出功率
0
0
1
2
3
4
5
输出功率(瓦)
40
效率(%)
50
V
DD
= 26 V
I
DQ
= 700毫安
F = 960 MHz的
30
20
10
0
1234
5600
55A
1016
0
输入功率(瓦)
包20248
RF连接特定的阳离子
( 100%测试)
特征
收益
(V
DD
= 26 V ,P
OUT
= 85 W,I
DQ
= 700 mA时, F = 960兆赫)
输出功率在1 dB压缩
(V
DD
= 26 V,I
DQ
= 700 mA时, F = 960兆赫)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26 V ,P
OUT
= 85 W,I
DQ
= 700 mA时, F = 960兆赫)
负载不匹配公差
(V
DD
= 26 V ,P
OUT
= 85 W,I
DQ
= 700 mA时, F = 960 MHz的
- 所有相位角在测试的频率)
在T公布的所有数据
= 25°C ,除非另有说明。
符号
G
pe
P-1dB
h
Y
15
85
50
典型值
16
90
53
最大
5:1
单位
dB
%
e
1