ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
速度
- 读取最大频率： 33MHz的
- 快速阅读最大频率： 50MHz的; 75MHz的; 100MHz的
低功耗
- 工作电流： 40毫安
- 待机电流： 75
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间9
μ
S（典型值）
抹去
- 芯片擦除时间4秒（典型值）
- 块擦除时间1秒（典型值）
- 扇区擦除时间为90μs （典型值）
F25L004A
工作温度条件-40
°C
~85
°C
3V只有4兆位串行闪存
自动地址递增（ AAI）字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
SPI串行接口
- SPI兼容：模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护（
WP
)
保持引脚（ HOLD ）
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品型号
F25L004A -50PIG
F25L004A -100PIG
F25L004A -50PAIG
速度
50MHz
100MHz
50MHz
包
8引脚
SOIC
8引脚
SOIC
8引脚
SOIC
150万
150万
200万
评论
无铅
无铅
无铅
产品型号
速度
包
8引脚
SOIC
8引脚
PDIP
8引脚
PDIP
200万
300 MIL
300 MIL
评论
无铅
无铅
无铅
F25L004A -100PAIG 100MHz的
F25L004A -50DIG
F25L004A -100DIG
50MHz
100MHz
概述
该F25L004A是4Megabit ，只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。 ESMT的存储设备可靠地存储内存
数据即使在100,000编程和擦除周期。
该F25L004A设有一个扇区擦除架构。该装置
存储器阵列分为128统一部门与4K字节
每一个; 8均匀的块，每一个64K字节。扇区可
单独擦除，而不会影响其他部门的数据。
块可以单独被删除，而不会影响在数据
其他模块。整片擦除功能提供了灵活性
修改设备中的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案，并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年1月
修改：
1.3
1/33
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
