ESMT
16兆（ 2Mx8 ）
F25L016A
3V只有串行闪存
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
速度
- 读取最大频率： 33MHz的
- 快速阅读最大频率： 50MHz的， 100MHz的
低功耗
- 典型工作电流
- 15
μ
典型待机电流
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间7
μ
S（典型值）
抹去
- 芯片擦除时间10秒（典型值）
- 块擦除时间1秒（典型值）
- 扇区擦除时间为90μs （典型值）
自动地址递增（ AAI）字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字编程操作
SPI串行接口
- SPI兼容：模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护（
WP
)
保持引脚（ HOLD ）
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品型号
F25L016A -50PAG
速度
50MHz
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
200mil
200mil
评论
无铅
无铅
F25L016A -100PAG 100MHz的
概述
该F25L016A是16Megablt ，只有3V CMOS串行闪存
组织成8比特2M字节的存储设备。该装置是
封装采用8引脚SOIC 200mil 。 ESMT的存储设备
可靠地存储，即使100,000编程和数据存储
擦除周期。
该F25L016A设有一个扇区擦除架构。该装置
存储器阵列被划分为512均匀的扇区大小为4K字节
每一个; 32均匀的块，每个64K字节。扇区可
单独擦除，而不会影响其他部门的数据。
块可以单独被删除，而不会影响在数据
其他模块。整片擦除功能提供了灵活性
修改设备中的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案，并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修改：
1.4
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ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
