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F25L04UA 参数 Datasheet PDF下载

F25L04UA图片预览
型号: F25L04UA
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内容描述: 3V只有4兆位串行闪存 [3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 25 页 / 271 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
速度
- 读取最大频率: 33MHz的
- 快速阅读最大频率: 50MHz的; 75MHz的; 100MHz的
低功耗
- 工作电流: 40毫安
- 待机电流: 25
μ
A
可靠性
- 100,000编程/擦除周期一般
- 10年的数据保留
节目
- 字节编程时间8
μ
S(典型值)
抹去
- 芯片擦除时间11秒(典型值)
F25L04UA
3V只有4兆位串行闪存
- 扇区擦除时间0.7秒(典型值)
自动地址递增( AAI )编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
SPI串行接口
- SPI兼容:模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护(
WP
)
保持引脚( HOLD )
包装avalible
- 8引脚SOIC 150万
订购信息
产品型号
F25L04UA -50PG
F25L04UA -75PG
速度
50MHz
75MHz
8引脚SOIC
8引脚SOIC
评论
无铅
无铅
无铅
F25L04UA -100PG 100MHz的8引脚SOIC
概述
该F25L04UA是4Megabit ,只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。 ESMT的存储设备可靠地存储内存
数据即使在100,000编程和擦除周期。
该F25L04UA设有一个扇区擦除架构。该装置
存储器阵列被划分成一个8K字节, 2 4K字节,1
16K字节,1 32K字节,和7的64K字节。扇区可
单独擦除,而不会影响其他部门的数据。
整片擦除功能,能够灵活地修改
在该装置的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修改:
1.2
1/25