ESMT
注意：
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F25L08PA
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
操作：•
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出，总线周期1 =操作码
X =虚拟输入周期（V
IL
或V
IH
） ; - =不适用的周期数（周期数是不必要的） ;续。 =连续
一个总线周期为8个时钟周期。
行业EARSE地址：使用
MS
-A
12
，剩余的地址可以是V
IL
或V
IH
座EARSE地址：使用
MS
-A
16
，剩余的地址可以是V
IL
或V
IH
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令，随后是数据是
编程。
在读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须工作在
彼此的结合。 WRSR指令必须在EWSR后（很下一个总线周期）执行
指令使两个指令有效。
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在读电子签名是连续的，要去时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
对符合JEDEC读ID是输出一个字节8CH为制造商ID ;第二个字节20H作为顶级内存类型;第三个字节为14H
内存容量。
10.写使能（ WREN ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须工作在每一起
等。 WRSR指令必须在WREN指令，以使双方之后（很下一个总线周期）执行
指令有效。无论EWSR和雷恩可以启用WRSR ，用户只需要执行它的一个。一个成功的WRSR
可以重置雷恩。
11.制造ID和设备ID输出将不断重复，直到CE终止指令。
12.双命令使用双向IO引脚。 ð
OUT
和续是串行数据输出;其它的是在串行数据。
13.双输出数据：
IO
0
= (D
6
, D
4
, D
2
, D
0
), (D
6
, D
4
, D
2
, D
0
)
IO
1
= (D
7
, D
5
, D
3
, D
1
), (D
7
, D
5
, D
3
, D
1
)
D
OUT0
D
OUT1
晶豪科科技有限公司
出版日期：
2009年7月
修订： 1.3
9/32
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
