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F25L16PA-100PG 参数 Datasheet PDF下载

F25L16PA-100PG图片预览
型号: F25L16PA-100PG
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内容描述: 3V只有16兆位串行闪存,配有双 [3V Only 16 Mbit Serial Flash Memory with Dual]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 33 页 / 471 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
写使能锁存器( WEL )
写使能锁存器位表示内部状态
存储器的写使能锁存器。如果该位被设置为“1”时,表示
设备写入启用。如果该位被设置为“0” (复位),则表示
该设备没有写使能,并且不接受任何内存
写(编程/擦除)命令。该位将自动复位
在下列条件下:
上电
写禁止( WRDI )指令完成
页面编程指令完成
自动地址递增( AAI )编程完成,
达到最高未受保护的内存地址
扇区擦除指令完成
块擦除指令完成
芯片擦除指令完成
写状态寄存器指令
F25L16PA
忙位判断是否存在内部擦除或
正在进行的编程操作。 “1 ”为忙位指示
该设备正忙于正在进行的操作。 “0 ”表示
该设备已准备好下一个有效的操作。
自动地址递增( AAI )
自动地址递增编程,状态位提供
是否在设备上的状态是处于AAI编程模式或
页面编程模式。上电时的默认值是页编程
模式。
表3: F25L16PA块保护表
防护等级
0
上1/32
上1/16
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
31座
块30 〜 31
块28 〜 31
块24 〜 31
块16 〜 31
块0 〜 31
块0 〜 31
地址范围
1F0000h - 1FFFFFH
1E0000h - 1FFFFFH
1C0000h - 1FFFFFH
180000h - 1FFFFFH
100000H - 1FFFFFH
000000 〜 1FFFFFH
000000 〜 1FFFFFH
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )位定义的大小
存储器区域中,如表3中所定义,被保护的软件
对任何存储器写(编程或擦除)操作。该
写状态寄存器( WRSR )指令用于编程
BP2 , BP1 , BP0只要位
WP
是高或块擦除
保护-看( BPL )位为0芯片擦除才能被执行
块保护位全部为0。上电后, BP2 , BP1和BP0
被设置为1 。
块保护锁断( BPL )
WP
引脚驱动为低电平(V
IL
) ,使块保护 -
向下锁定( BPL )位。当BPL被设置为1时,它可以防止任何
进一步改变的BPL , BP2 , BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平(V
IH
) , BPL位没有任何作用,其
值是“不关心” 。上电后, BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年7月
修订: 1.4
7/33