ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
标准版和双SPI
速度
- 读取最大频率： 33MHz的
- 快速阅读最大频率： 50MHz的/ 86MHz / 100MHz的
- 快速阅读的双最高频率： 50MHz的/ 86MHz / 100MHz的
（为100MHz / 172MHz / 200MHz的双等值SPI ）
低功耗
- 工作电流： 35毫安
- 待机电流： 30
μ
A
- 深度掉电电流： 5
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间： 7
μ
S（典型值）
- 页编程时间： 1.5毫秒（典型值）
抹去
- 芯片擦除时间25秒（典型值）
- 块擦除时间为1秒（典型值）
- 扇区擦除时间90毫秒（典型值）
网页编程
- 每个可编程页256字节
F25L32PA
3V只有32兆位串行闪存，配有双
可锁定2K字节的OTP安全部门
SPI串行接口
- SPI兼容：模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护（
WP
)
保持引脚（ HOLD ）
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品编号
F25L32PA -50PAG
F25L32PA -86PAG
F25L32PA -100PAG
F25L32PA -50PHG
F25L32PA -86PHG
F25L32PA -100PHG
速度
50MHz
86MHz
100MHz
50MHz
86MHz
100MHz
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
16引脚SOIC
16引脚SOIC
16引脚SOIC
200mil
200mil
200mil
300mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该F25L32PA是32Megabit ，只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。该器件支持标准和双
串行外设接口（SPI ） 。 ESMT的存储设备
可靠地存储，即使十万编程和数据存储
擦除周期。
存储器阵列可以被组织成16384可编程
每256字节的页。 1到256字节可以在编程
时间的页面编程指令。
该器件具有扇区擦除架构。在存储器阵列
分为1024统一扇区，每个4K字节; 64
均匀的块，每个64K字节。扇区可擦除
个别不影响其他部门的数据。块可以
单独擦除，而不影响在其它块中的数据。
整片擦除功能，能够灵活地修改
在该装置的数据。该器件具有行业，阻止或芯片擦除
但无页擦除。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案，并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年3月
修订： 1.0
1/36
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
