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F25L32QA-86PAG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: F25L32QA-86PAG
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内容描述: 3V只有32兆位串行闪存,配有双核和四 [3V Only 32 Mbit Serial Flash Memory with Dual and Quad]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 42 页 / 484 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
标准,双核和四SPI
(初步)
F25L32QA
3V只有32兆位串行闪存
用双核和四
速度
- 读取最大频率: 33MHz的
- 快速阅读最大频率: 50MHz的/ 86MHz / 100MHz的
- 快速读取双核/四核最高频率: 50MHz的/ 100MHz的
(为100MHz / 172MHz / 200MHz的双等值SPI ;
为200MHz / 344MHz / 400MHz的相当于四SPI )
低功耗
- 工作电流: 35毫安
- 待机电流: 30
μ
A
- 深度掉电电流: 5
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间: 7
μ
S(典型值)
- 页编程时间: 1.5毫秒(典型值)
抹去
- 芯片擦除时间25秒(典型值)
- 块擦除时间为1秒(典型值)
- 扇区擦除时间90毫秒(典型值)
网页编程
- 每个可编程页256字节
自动地址递增( AAI)字编程
- 降低整个芯片的编程时间字节编程
操作
可锁定2K字节的OTP安全部门
SPI串行接口
- SPI兼容:模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护(
WP
)
保持引脚( HOLD )
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品编号
F25L32QA -50PAG
F25L32QA -86PAG
F25L32QA -100PAG
F25L32QA -50PHG
F25L32QA -86PHG
F25L32QA -100PHG
速度
50MHz
86MHz
100MHz
50MHz
86MHz
100MHz
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
16引脚SOIC
16引脚SOIC
16引脚SOIC
200mil
200mil
200mil
300mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该F25L32QA是32Megabit ,只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。该器件支持标准的串行
外设接口( SPI )和一个双/四路SPI 。 ESMT的
存储设备可靠地存储内存中的数据,即使10万
编程和擦除周期。
存储器阵列可以被组织成16384可编程
每256字节的页。 1到256字节可以在编程
时间的页面编程指令。该装置也可以是
编程,以降低整个芯片的编程时间与汽车
地址递增( AAI )编程。
该器件具有扇区擦除架构。在存储器阵列
分为1024统一扇区,每个4K字节; 64
均匀的块,每个64K字节。扇区可擦除
个别不影响其他部门的数据。块可以
单独擦除,而不影响在其它块中的数据。
整片擦除功能,能够灵活地修改
在该装置的数据。该器件具有行业,阻止或芯片擦除
但无页擦除。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修订: 0.2
1/42