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F25S004A-50DG 参数 Datasheet PDF下载

F25S004A-50DG图片预览
型号: F25S004A-50DG
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内容描述: 2.5V只有4兆位串行闪存 [2.5V Only 4 Mbit Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 33 页 / 485 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.3 〜 3.3V
速度
- 读取最大频率: 33MHz的
- 快速阅读最大频率: 50MHz的
低功耗
- 工作电流: 40毫安
- 待机电流: 75
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间7
μ
S(典型值)
抹去
- 芯片擦除时间4秒(典型值)
- 块擦除时间1秒(典型值)
- 扇区擦除时间为90μs (典型值)
F25S004A
2.5V只有4兆位串行闪存
自动地址递增( AAI)字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
SPI串行接口
- SPI兼容:模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护(
WP
)
保持引脚( HOLD )
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品编号
F25S004A -50PG
F25S004A -50PAG
F25S004A -50DG
速度
50MHz
50MHz
50MHz
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚PDIP
150万
200万
300 MIL
评论
无铅
无铅
无铅
概述
该F25S004A是4Megabit ,只有2.5V CMOS串行闪存
存储器设备。 ESMT的存储设备可靠地存储内存
数据即使在100,000编程和擦除周期。
该器件具有一个扇区擦除架构。该装置
存储器阵列分为128统一部门与4K字节
每一个; 8均匀的块,每一个64K字节。扇区可
单独擦除,而不会影响其他部门的数据。
块可以单独被删除,而不会影响在数据
其他模块。整片擦除功能提供了灵活性
修改设备中的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修改:
1.1
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