EFST
F49B002UA
2兆位（ 256K ×8 ）
只有5V CMOS闪存
1.产品特点
单电源电压5V
±10%
快速访问时间： 70/90 NS
兼容JEDEC标准
- 针脚，封装以及软件命令
与单电源闪存兼容
低功耗
- 25毫安最大工作电流
- 25uA典型待机电流
100,000编程/擦除周期
通常
命令寄存器架构
- 字节编程（典型为10μs ）
- 扇区擦除（部门结构： 16KB ， 8KB ， 8KB ，
96KB ， 128KB ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 扇区擦除和芯片擦除。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
编程或擦除检测结束
- 数据查询
- 翻转位
BOOT扇区架构
-
U =上引导扇区
可用的软件包：
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
2.订购信息
部件号
F49B002UA-70D
F49B002UA-70N
BOOT
上
上
速度
70纳秒
70纳秒
包
PDIP
PLCC
部件号
F49B002UA-90D
F49B002UA-90N
BOOT
上
上
速度
90纳秒
90纳秒
包
PDIP
PLCC
3.概述
该F49B002UA是2兆，只有5V CMOS闪存
存储器设备组织成256K字节的8位。这
器件封装在标准的32引脚PDIP和32引脚
PLCC 。它被设计为编程和擦除都
在系统中，并且可以在标准EPROM编程器。
随着70纳秒90纳秒的F49B002UA访问时间
允许的高速微处理器的操作。该
设备都有单独的芯片使能
CE
，写使能
WE
,
和输出使能
OE
控制。 EFST的存储设备
可靠地存储，即使万的程序和数据存储器
擦除周期。
该F49B002UA完全是引脚和指令集
与2兆位闪存的JEDEC标准兼容
存储器装置。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
该F49B002UA设有一个扇区擦除架构。
设备存储器阵列被划分为16个字节，8K
字节， 8K字节， 96Kbytes ， 128K字节。删除功能
能够灵活地修改该数据的设备。
低V
CC
探测器禁止写操作上的损失
力。编程或擦除结束被检测到的数据
轮询DQ7 ，或者通过DQ6切换位功能。一旦
在编程或擦除周期已成功
完成后，设备内部复位到读模式。
精英闪存存储技术公司
出版日期： 2006年9月
修订： 1.4
1/33
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
