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F49L004BA 参数 Datasheet PDF下载

F49L004BA图片预览
型号: F49L004BA
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 )只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 46 页 / 354 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST
初步
F49L004UA / F49L004BA
4兆位( 512K ×8 )
只有3V CMOS闪存
1.产品特点
单电源电压2.7V - 3.6V
!
快速访问时间: 70/90 NS
!
兼容JEDEC标准
- 引脚,封装和软件命令
与单电源闪存兼容
!
低功耗
- 20毫安典型工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
!
万最低编程/擦除周期
!
命令寄存器架构
- 字节编程( 9US典型值)
- 扇区擦除(部门结构: 1个16 KB , 2个8 KB ,
1个32 KB ,七64 KB)
!
自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 任何部门的结合可以被删除
同时,芯片擦除也有提供。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
!
擦除暂停/删除恢复
- 挂起或恢复擦除扇区,使
在另一扇区的读/程序
!
!
!
!
!
!
!
!
就绪/忙( RY /
BY
)
- RY /
BY
输出引脚检测程序或擦除
操作完成
编程或擦除检测结束
- 数据查询
- 翻转位
硬件复位
- 硬件引脚(
RESET
)复位内部状态机
到读模式
扇区保护/ unprotection的
- 硬件保护/撤消部门的任意组合
从编程或擦除操作。
低V
CC
写禁止等于或小于2.0V
BOOT扇区架构
- U =上引导扇区
- B =底部引导扇区
可用的软件包:
- 40针TSOPI
- 32引脚PLCC
2.订购信息
部件号
F49L004UA-70T
F49L004UA-70N
F49L004BA-70T
F49L004BA-70N
BOOT
底部
底部
速度
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
TSOPI
PLCC
TSOPI
PLCC
部件号
F49L004UA - 90牛逼
F49L004UA-90N
F49L004BA-90T
F49L004BA-90N
BOOT
底部
底部
速度
90纳秒
90纳秒
90纳秒
90纳秒
TSOPI
PLCC
TSOPI
PLCC
3.概述
该F49L004UA / F49L004BA是4兆,只有3V
CMOS闪存设备组织成512K字节的8
位。该器件采用标准的40引脚TSOP和
32引脚PLCC 。它被设计为编程和擦除
无论是在系统中,可以在标准EPROM编程器。
随着70纳秒90纳秒的F49L004UA /访问时间
F49L004BA允许高速操作
微处理器。该设备有独立的芯片使能
CE
,写使能
WE
和输出使能
OE
控制。
EFST的存储设备可靠地存储内存中的数据,即使
经过100,000编程和擦除周期。
该F49L004UA / F49L004BA完全是引脚和
命令设置为4 JEDEC标准兼容
兆位闪存设备。命令写入
采用标准的微处理器写命令寄存器
计时。
该F49L004UA / F49L004BA设有一个扇区擦除
架构。该设备的存储器阵列被划分成一个
16K字节, 2字节8 , 1个32字节,七64
千字节。部门可以单独或成组被删除
在不影响其他部门的数据。多个部门
擦除和整片擦除功能提供
灵活地修改设备中的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个
中的任意组合编程和擦除操作
内存部门。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
低V
CC
探测器禁止写操作上的损失
力。编程或擦除结束被检测
Ready / Busy状态引脚, DQ7数据查询,或通过
切换位我拥有的DQ6 。一旦编程或擦除
周期已经成功地完成,该装置
内部复位到读模式。
精英闪存存储技术公司
出版日期: 2003年08月
修订: 0.2
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