F49L040A-90T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	F49L040A-90T
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内容描述：	4兆位（ 512K ×8 ）只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	41 页 / 391 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

EFST

F49L040A

4兆位（ 512K ×8 ）

只有3V CMOS闪存

1.产品特点

单电源电压3.0V - 3.6V

快速访问时间： 70/90 NS

兼容JEDEC标准

- 针脚，封装以及软件命令

与单电源闪存兼容

低功耗

- 7毫安典型工作电流

- 25uA典型待机电流



万最低编程/擦除周期



命令寄存器架构

- 字节编程（ 9US典型值）

- 扇区擦除（部门结构： 8个64 KB ）



自动擦除（芯片&部门）和自动编程

- 任何部门的结合可以被删除

同时，芯片擦除也有提供。

- 自动编程，并在指定的验证数据

地址

擦除暂停/删除恢复

- 挂起或恢复擦除扇区，使

在另一扇区的读/程序

编程或擦除检测结束

- 数据查询

- 翻转位

扇区保护/取消保护

- 硬件保护/撤消部门的任意组合

从编程或擦除操作。

低V

写禁止等于或小于2.0V

BOOT扇区架构

U =上引导扇区

B =底部引导扇区

可用的软件包：

- 32引脚TSOPI

- 32引脚PLCC

2.订购信息

部件号

F49L040A-70T

F49L040A-70N

BOOT

上/下

速度

70纳秒

包

TSOPI

PLCC

部件号

F49L040A-90T

F49L040A-90N

BOOT

上/下

速度

90纳秒

包

TSOPI

PLCC

3.概述

该F49L040A是4兆，只有3V CMOS闪存

存储器设备组织成512K字节的8位。这

器件封装在标准的32针TSOPI和32针

PLCC 。它被设计为编程和擦除都

在系统中，并且可以在标准EPROM编程器。

随着70纳秒90纳秒的F49L040A访问时间

允许的高速微处理器的操作。该

设备都有单独的芯片使能

，写使能

和输出使能

控制。 EFST的存储设备

可靠地存储内存中的数据，即使100,000编程

和擦除周期。

该F49L040A完全是引脚和指令集

与4兆位闪存的JEDEC标准兼容

存储器装置。命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。

该F49L040A设有一个扇区擦除架构。

设备存储器阵列被分成8个64字节。

部门可以个人或团体不被删除

影响到其他部门的数据。多扇区擦除

和全芯片擦除功能提供了灵活性

修改设备中的数据。

该部门保护/撤消功能禁用这两个

中的任意组合编程和擦除操作

内存部门。这可以在系统来实现，或

通过编程设备。

低V

探测器禁止写操作上的损失

力。编程或擦除结束被检测到的数据

DQ7的查询，或通过触发位我拥有的DQ6 。

一旦编程或擦除周期已成功

完成后，设备内部复位到读模式。

精英闪存存储技术公司

出版日期： 2005年4月

修订： 1.0

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