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F49L160UA_1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: F49L160UA_1
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内容描述: 16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 51 页 / 459 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
F49L160UA/F49L160BA
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 )
只有3V CMOS闪存
1.产品特点
单电源电压3.0V - 3.6V
快速存取时间: 90纳秒
2,097,152x8 / 1,048,576x16通过切换
字节
兼容JEDEC标准
- 针脚,封装以及软件命令
与单电源闪存兼容
低功耗
- 7毫安典型工作电流
- 25uA典型待机电流
100,000编程/擦除周期一般
20年数据保留
命令寄存器架构
- 字节字编程(器件为9μs / 11μs典型值)
- 字节模式:一个16KB , 2 8KB , 32KB 1和
31 64KB部门。
- 字模式: 1的8K字,双字4K , 16K 1
一句话, 31是32K字扇区。
自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 任何部门的结合可以被删除
同时,芯片擦除也有提供。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起或恢复擦除扇区,使
在另一扇区的读/程序
就绪/忙( RY /
BY
)
- RY /
BY
输出引脚检测程序或擦除
操作完成
编程或擦除检测结束
- 数据查询
- 翻转位
硬件复位
- 硬件引脚(
RESET
)复位内部状态机
到读模式
扇区保护/ unprotection的
- 硬件保护/撤消部门的任意组合
从编程或擦除操作。
低V
CC
写禁止等于或小于2.0V
BOOT扇区架构
- U =上引导块
- B =底部引导块
可用的软件包:
- 48引脚TSOPI
-
所有无铅产品均符合RoHS标准
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松重新配置到不同的
闪存设备。
2.订购信息
部件号
F49L160UA-90TIG
F49L160BA-90TIG
BOOT
底部
速度
90纳秒
90纳秒
TSOPI
TSOPI
评论
无铅
无铅
3.概述
该F49L160UA / F49L160BA是16兆位,只有3V
组织为8 2M字节的CMOS闪存芯片
位或16位的100万字。此设备被封装在
标准的48引脚TSOP 。它被设计成被编程
和擦除无论是在系统中,可以在标准EPROM
程序员。
ACCESS
of
90
NS ,
F49L160UA / F49L160BA允许的操作
高速微处理器。该装置具有分开的
芯片使能
CE
,写使能
WE
和输出使能
OE
控制。 ESMT的存储设备可靠地存储
内存中的数据,即使100,000编程和擦除
周期。
该F49L160UA / F49L160BA完全是引脚和
命令设置为16 JEDEC标准兼容
兆位闪存设备。命令写入
使用标准的微处理器的命令寄存器
写时序。
该F49L160UA / F49L160BA设有一个扇区擦除
架构。装置阵列被划分成一个16KB,
2 8KB , 32KB 1和31 64KB字节模式。
该设备的存储器阵列被划分成一个8K字,二
4K字一16K字和31字32K部门
字模式。扇区可单独或擦除
组,而不会影响其他部门的数据。
多扇区擦除和整片擦除功能
能够灵活地修改该数据的设备。
该部门保护/撤消功能禁用这两个
中的任意组合编程和擦除操作
内存部门。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
低V
CC
探测器禁止写操作上的损失
力。编程或擦除结束被检测
Ready / Busy状态引脚, DQ7数据查询,或通过
切换位我拥有的DQ6 。一旦编程或擦除
周期已经成功地完成,该装置
内部复位到读模式。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年1月
修订: 1.4
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