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F49L160UA_1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: F49L160UA_1
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内容描述: 16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 51 页 / 459 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
复位命令
写复位命令到设备重置
设备读取阵列的数据。地址位都没有
关心这个命令。
reset命令可以写成的
在擦除命令序列序列周期
擦除开始之前。这将重置设备的阅读
阵列的数据。一旦擦除开始,然而,该装置
忽略重置命令,直到操作
完整的。
reset命令可以写成的
在程序命令序列顺序循环
节目开始之前。这将重置设备
读阵列数据(也适用于编程
擦除挂起模式) 。一旦程序开始,
然而,该设备忽略,直到复位命令
操作完成。
reset命令可以写成的
顺序循环中自动选择命令序列。
一旦进入自动选择模式下,复位命令必须
被写入到返回读取阵列数据(也适用
擦除过程中自动选择暂停) 。
如果DQ5变高(见“ DQ5 :超出时间限制”
段)期间,编程或擦除操作时,写
复位命令返回的设备读取阵列
数据(擦除过程中也同样适用挂起) 。
F49L160UA/F49L160BA
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
程序命令
程序指令序列的程序一个字节
到器件中。编程是一个四总线周期
操作。该计划的命令序列启动
通过写入两个解锁写周期,随后是
程序设置命令。该项目地址和
接下来的数据被写入,这又引发
嵌入式程序算法。该系统是不
需要提供进一步的控制或定时。该
设备会自动提供内部产生
编程脉冲和验证的程序性细胞
利润率。
当嵌入式编程算法完成,
然后将设备返回读取阵列数据和
地址不再锁定。该系统可
通过使用确定的程序操作的状态
DQ7 , DQ6 ,或RY /
BY
。见“写操作状态”
部分对这些状态位的更多信息。
在写入设备的任何命令
嵌入式程序算法被忽略。注意,以
五金
RESET
立即
终止
编程操作。该计划的命令
序列应该重新开始一次该装置具有
重置为读出数组数据,以确保数据的完整性。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。有点不能从编程
“0”返回到“1” 。尝试这样做可能会停止
操作和设置DQ5为“1” ,或造成数据轮询
算法来表示操作成功。
然而,随后的读操作将表明,该数据是
还是“ 0 ” 。只擦除操作可以转换为“0”到
“1”.
读命令
该装置会自动设置为读取阵列数据
之后器件上电。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列
完成一个嵌入式程序后,数据或
嵌入式擦除算法。
当设备接收一个擦除挂起命令,
该设备进入擦除挂起模式。该
系统可以使用标准的读取读取阵列数据
定时,所不同的是,即使读取中的地址
删除悬浮部门,设备输出状态
数据。在完成编程操作,在后
擦除挂起模式下,系统会再次读
阵列数据具有相同的异常。请参阅“删除
暂停/删除恢复命令“更多
在这种模式下的信息。
该系统必须发出复位命令
重新启用该设备用于读取阵列数据是否DQ5变
高时,或处于自动选择模式。请参阅“重设
命令“一节。另请参阅在“读取模式”
“设备操作”一节以获取更多信息。参考
图5为时序图。
芯片擦除命令
芯片擦除是六总线周期操作。该芯片擦除
命令序列写入两个解锁启动
个循环,接着一个建立命令。两个额外的
解锁写周期再其次是芯片擦除被
命令,从而调用嵌入式擦除
算法。
该设备不要求系统进行预编程
在擦除之前。嵌入式擦除算法
自动preprograms并检验整个
前电存储器为全零的数据图案
抹去。
在写入到芯片的任何命令
嵌入式擦除算法被忽略。注意,以
芯片擦除操作过程中硬件复位
立即终止该操作。芯片擦除
命令序列应该重新开始曾经在
设备已返回读取阵列数据,以确保
数据的完整性。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年1月
修订: 1.4
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