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F49L320BA-70TIG 参数 Datasheet PDF下载

F49L320BA-70TIG图片预览
型号: F49L320BA-70TIG
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内容描述: 32兆位( 4M ×8 / 2M ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [32 Mbit (4M x 8/2M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 55 页 / 544 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
FL灰
1.产品特点
单电源电压2.7V - 3.6V
快速访问时间: 70/90 NS
4,194,304x8 / 2,097,152x16通过切换
字节
兼容JEDEC标准
- 针脚,封装以及软件命令兼容
单电源闪存
低功耗
- 20毫安典型工作电流
- 25uA典型待机电流
100,000编程/擦除周期一般
20年数据保留
命令寄存器架构
- 字节字编程(器件为9μs / 11μs典型值)
- 字节模式: 8 8KB , 63 64KB部门。
- 字模式: 8 4K字, 63是32K字扇区。
自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 任何部门的结合可以同时删除;
芯片擦除也有提供。
- 在指定的地址,自动编程和校验数据
擦除暂停/删除恢复
- 挂起或恢复擦除扇区,使
在另一扇区的读/程序
安全硅行业
- 128word部门通过长期,安全识别
一个8字的随机电子序列号
- 可被编程并锁定在工厂或由
客户
- 访问可以通过一个命令序列。
F49L320UA/F49L320BA
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
32兆位( 4M ×8 / 2M ×16 )
只有3V CMOS闪存
就绪/忙( RY /
BY
)
- RY /
BY
输出引脚检测编程或擦除操作的
竣工
编程或擦除检测结束
- 数据查询
- 翻转位
硬件复位
- 硬件引脚(
RESET
)复位内部状态机
读模式
扇区保护/ unprotection的
- 硬件保护/撤消部门的任意组合,从
编程或擦除操作。
低V
CC
写禁止等于或小于2.0V
BOOT扇区架构
- U =上引导块
- B =底部引导块
可用的软件包:
- 48引脚TSOPI
-
所有无铅产品均符合RoHS标准
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置到不同的闪存器件。
-
-
2.订购信息
部件号
F49L320UA-70TIG
F49L320BA-70TIG
BOOT
底部
高速包评论
部件号
70纳秒
TSOPI
无铅
F49L320UA-90TIG
70纳秒
TSOPI
无铅
F49L320BA-90TIG
BOOT
底部
速度
90纳秒
90纳秒
TSOPI
TSOPI
评论
无铅
无铅
3.概述
该F49L320UA / F49L320BA是32兆位,只有3V CMOS
组织为8位或2M 4M字节的闪存设备
也就是说16位的。该器件采用标准的48针
TSOP 。它被设计成被编程并且在擦除既
系统可以在标准EPROM编程器。
为70毫微秒和90毫微秒的访问时间
F49L320UA / F49L320BA允许高速操作
微处理器。该设备有独立的芯片使能
CE
启用
WE
和输出使能
OE
控制。 ESMT的记忆
设备可靠地存储内存中的数据,即使100,000编程
和擦除周期。
该F49L320UA / F49L320BA完全是引脚和指令集
与32兆位闪存的JEDEC标准兼容
存储器装置。命令写入
该F49L320UA / F49L320BA设有扇区擦除架构。
该器件阵列分为八个8KB , 63为64KB
字节模式。设备存储器阵列被分成8 4K
一句话,一个字模式63 32K字扇区。行业能
可单独或成组擦除而不影响数据
其他行业。多扇区擦除和整片擦除
功能提供灵活修改的数据
装置。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
低V
CC
检测器抑制了电力损失的写操作。
编程或擦除的结束是由Ready / Busy状态检测
销, DQ7数据查询,或通过触发位我上DQ6功能。
一旦编程或擦除周期已成功
完成后,设备内部复位到读模式。该
采用标准的微处理器写命令寄存器
计时。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年9月
修订: 1.1
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