F49L800UA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	F49L800UA
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内容描述：	8兆位（ 1M ×8 / 512K ×16 ） 3V只有CMOS闪存 [8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	47 页 / 459 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

ESMT

该系统可确定擦除的状态

通过使用DQ7操作， DQ6 ， DQ2或RY /

。看

“写操作状态”一节的详细信息

这些状态位。

当嵌入式擦除算法完成后，

设备返回读取阵列数据和地址

不再锁定。请参阅擦除/编程操作

表中的“AC特性”的参数。

F49L800UA/F49L800BA

一旦扇区擦除操作已经开始，仅

擦除挂起命令是有效的。所有其他的命令

将被忽略。注意，在硬件复位

扇区擦除操作立即终止

操作。扇区擦除命令序列

应重新开始，一旦设备已经返回到

读阵列数据，以确保数据的完整性。

当嵌入式擦除算法完成后，

设备返回读取阵列数据和地址

不再锁定。该系统可确定该

擦除操作通过使用DQ7 ， DQ6状态

DQ2或RY /

。（参见“写操作状态”

部分对这些状态位的更多信息。）

是指在擦除/编程操作表

“AC特性”一节的参数。

扇区擦除命令

扇区擦除是六总线周期操作。部门

擦除命令序列被写两个启动

解锁循环，接着一个建立命令。两

解锁额外的写周期再其次是被

该扇区的地址被擦除，并且该扇区

擦除命令。

该设备不要求系统进行预编程

之前的记忆中抹去。嵌入式擦除

算法自动编程和校验

之前，电力部门对全零数据模式

抹去。该系统不要求提供任何

在这些操作控制或定时。

命令序列被写入后，扇区擦除

超时50微秒的开始。在超时期间，

更多的扇区地址和扇区擦除

命令可以被写入。加载扇区擦除

缓冲器可以以任何顺序来完成，并且数量

各部门可以从一个部门到各部门。该

这些额外的周期之间的时间必须短

μs,

否则的最后地址和命令

可能不被接受，并删除可能开始。

建议在处理器的中断是

在这段时间内，以确保所有的命令都被禁用

接受的。可以重新启用后中断

最后扇区擦除命令写入。如果时间

之间的附加扇区擦除命令可以是

假设为小于50微秒时，系统不需要

监控DQ3 。

任何命令比扇区擦除或擦除等

在超时时间暂停重置设备

读取阵列的数据。该系统必须重写

命令序列和任何其他扇区

的地址和命令。

该系统可以监测DQ3 ，以确定是否

扇区擦除定时器超时。（请参阅“ DQ3 ：

扇区擦除定时器“一节）。超时开始

从最终的上升沿

脉冲在

命令序列。

扇区擦除挂起/恢复命令

擦除挂起命令允许系统

中断的扇区擦除操作，然后读出的数据

由，或程序数据，不选择任何扇区

擦除（设备“擦除挂起”所有部门

选择用于擦除。）。此命令只

扇区擦除操作，其中包括50微秒期间

扇区擦除命令时的超时时间

序列。如果擦除挂起命令被忽略

芯片擦除操作过程中写入或嵌入式

程序算法。地址是在“无关位”

写入擦除挂起命令，如图

表5 。

当擦除挂起命令是在一个写

扇区擦除操作时，设备需要最大

20微秒暂停擦除操作。不过，

当擦除挂起命令中写入

扇区擦除超时，立即设备

结束超时周期和暂停的擦除

操作。

在阅读中的任何地址擦除暂停

行业生产上DQ7 - DQ0状态数据。该

系统可以使用DQ7或DQ6和DQ2在一起，以

确定一个扇区被积极地擦除或

擦除暂停。见“写操作状态”

部分对这些状态位的更多信息。

经过擦除暂停的程序操作

完成后，系统可以再次读取数组数据

内非悬挂扇区。该系统可

确定使用的程序操作的状态

在DQ7或DQ6状态位，就像标准

程序操作。见“写操作状态”为

更多的信息。

晶豪科科技有限公司

出版日期： 2008年1月

修订： 1.6

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