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F49L800UA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: F49L800UA
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内容描述: 8兆位( 1M ×8 / 512K ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 47 页 / 459 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
复位模式:
硬件复位
RESET
引脚被拉低了至少
的t期
RP
,该装置立即终止任何
正在进行操作时,三态所有输出管脚,并
会忽略的期间所有的读/写命令
RESET
脉搏。该器件也复位内部状态
机读取阵列的数据。这是操作
中断应以后重新开始,一旦该设备是
准备好接受另一个命令序列,以确保
数据的完整性。
的电流减小为的持续时间
RESET
脉搏。当
RESET
被保持在V
SS
± 0.3V ,该器件
平CMOS待机电流(I
CC4
) 。如果
RESET
举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.3V ,待机电流
更大。
RESET
引脚可以连接到系统复位电路。
因此,一个系统复位会重置闪存,
使系统能够读取开机坚定洁具从
闪速存储器。
If
RESET
在编程或擦除被断言
嵌入式算法操作, RY /
BY
引脚保持
一个"0" (繁忙),直到内部复位操作
完整的,这需要时间t的
准备
(中
嵌入式算法) 。因此,系统可以监视
RY /
BY
确定复位操作是否是
完整的。
If
RESET
断言编程或擦除时,
操作不被执行,即RY /
BY
是“1” ,则
复位操作吨的时间内完成
准备
(不
在嵌入式算法) 。该系统可以读
吨后的数据
RH
RESET
引脚返回到V
IH
.
请参见AC特性表13的硬件
复位部&图23为时序图。
F49L800UA/F49L800BA
请参阅“阅读命令”一节以获取更多信息。
请参阅AC读操作表10时序
规格和图5的时序图。我
CC1
在DC特性表代表活动
目前规范阵列读取数据。
写模式
写一个命令或命令序列(其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区)时,系统必须驱动
WE
CE
到V
IL
OE
到V
IH
。在“程序指令”一节
对编程数据的详细信息到设备使用
标准的命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区,多
扇区或整个设备。表1和表2表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门
地址“由需要以唯一的地址位
选择一个扇区。 “软件定义的命令”
部具有上擦除一个扇区或整个芯片的细节,
或暂停/恢复擦除操作。
当系统写入自动选择命令
序,器件进入自动选择模式。该
然后,系统可以从内部读取自动选择码
寄存器(它是分开的存储器阵列)上
DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅自动选择模式,并自动选择
命令部分以获取更多信息。我
CC2
在直流
特性表代表了目前活跃
规格为写入模式。在“AC特性”
部分包含时序规格表和计时
图写操作。
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用
当地址保持不变,在这种模式下
为250ns 。自动睡眠模式是独立的
CE
,
WE
OE
控制信号。标准地址
时序进入时提供的地址是新数据
改变了。而在睡眠模式下,输出数据被锁存,
始终可用的系统。我
CC4
在直流
特性表代表了自动休眠
模式电流规范。
读取模式
从输出读阵列数据,系统必须
驱动
CE
OE
引脚V
IL
.
CE
是电源
控制和选择器件。
OE
是输出
控制与门阵列的数据到输出引脚。
WE
应保持在V
IH
。内部状态机设置
用于在器件上电时读取阵列数据,或之后
硬件复位。这确保了没有寄生
改变存储器的内容的过程中发生
权力过渡。
没有命令,必须在此模式下,获得数组
数据。标准微处理器的读周期的断言
该器件地址输入产生的有效地址
上的设备的数据输出有效数据。该装置
保持启用,直到命令读取访问
寄存器的内容被改变。
字/字节模式
该引脚控制设备的I / O配置。当
字节
= V
IH
或VCC ± 0.3V 。在I / O配置X16
和D15 / A - 1的引脚为双向数据I / O。不过,
字节
= V
IL
或V
SS
± 0.3V 。将在I / O配置
是x8和DQ15 / A - 1的引脚只地址输入引脚。
你必须定义该引脚的功能之前启用此
装置。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年1月
修订: 1.6
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