EliteMT
DRAM
特点
X16组织
EDO （扩展数据输出）接入方式
2
CAS
字节/字的读/写操作
单5V （
±
10 ％ ）电源
TTL兼容的输入和输出
在8ms的512周期刷新
刷新方式：
RAS
只是，
CAS
前
RAS
（ CBR ）
和隐藏
JEDEC标准引脚
AC关键参数
t
RAC
-25
-28
-30
-35
-40
25
28
30
35
40
t
CAC
8
9
9
10
11
t
RC
43
48
55
65
75
t
PC
10
11
12
14
16
M11B416256A
256的K× 16的DRAM
EDO页模式
订购信息 - 包
40引脚400mil SOJ
40分之44引脚400mil TSOP （ Ⅱ型）
产品编号
M11B416256A-25J
M11B416256A-28J
M11B416256A-30J
M11B416256A-35J
M11B416256A-40J
M11B416256A-25T
M11B416256A-28T
M11B416256A-30T
M11B416256A-35T
M11B416256A-40T
包装类型
SOJ
TSOPII
概述
该M11B416256A是一个随机访问固态存储器，组织为262144 ×16位的设备。它提供了扩展
数据输出， 5V （
±
10 ％ ），单电源供电。访问时间（ -25 ， -28 ， -30 ， -35 ， -40 ）和封装类型（ SOJ ， TSOP II ）是可选的
这个家族的特点。所有这些家庭都有
CAS
- 前 -
RAS
,
RAS
- 只刷新和隐藏刷新功能。
两种接入方式是通过本机支持：字节访问和Word的访问。只使用两个中的一个
CAS
离开
其他的高企将导致字节访问。字访问发生在当两个
CAS
(
CASL
,
现金
）被使用。
CASL
读或写周期将输出或输入数据到低字节（ IO0 〜 IO7 ） ，并在过境低
现金
过境过低都会输出或输入数据到高字节（ IO8 〜 15 ） 。
引脚分配
SOJ顶视图
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
TSOP （ Ⅱ型）顶视图
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I/O9
I/O8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I / O 9
I / O 8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
1/15
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
