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M11L416256SA-35JP 参数 Datasheet PDF下载

M11L416256SA-35JP图片预览
型号: M11L416256SA-35JP
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 411 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT
DRAM
M11L416256SA
256的K× 16的DRAM
EDO页模式
特点
X16组织
EDO (扩展数据输出)接入方式
2
CAS
字节/字的读/写操作
3.3V单电源(
±
10 % )电源
LVTTL兼容的输入和输出
在8ms的512周期刷新
刷新方式:
RAS
只是,
CAS
RAS
( CBR )
和隐藏功能
自刷新功能
JEDEC标准引脚
AC关键参数
t
RAC
-35
35
t
CAC
10
t
RC
65
t
PC
14
订购信息 - 包
40引脚400mil SOJ
40分之44引脚400mil TSOP ( II型)
产品编号
填料
TYPE
评论
M11L416256SA-
SOJ / TSOPII
35 TG
M11L416256SA-
35 JP
无铅
概述
该M11L416256系列是一个随机访问固态存储器,组织为262144 ×16位的设备。它提供
扩展数据输出, 3.3V (
±
10 % ),单电源供电。访问时间(-35 ) ,自刷新和封装类型( SOJ ,TSOP II)的
此系列的可选功能。所有这些家庭都有
CAS
- 前 -
RAS
,
RAS
- 只刷新和刷新隐藏
的能力。
两种接入方式是通过本机支持:字节访问和Word的访问。只使用两个中的一个
CAS
离开
其他的高企将导致字节访问。字访问发生在当两个
CAS
(
CASL
,
现金
)被使用。
CASL
读或写周期将输出或输入数据到低字节( IO0 〜 IO7 ) ,并在过境低
现金
过境过低都会输出或输入数据到高字节( IO8 〜 15 ) 。
引脚分配
SOJ顶视图
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
TSOP ( Ⅱ型)顶视图
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I/O9
I/O8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I / O 9
I / O 8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
精英存储科技有限公司
出版日期:八月2005年
调整
:
1.4
1/16