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M12L16161A_05 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A_05图片预览
型号: M12L16161A_05
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 697 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
参数
CLK周期时间
CLK为有效
输出延迟
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
符号
t
CC
t
SAC
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
-5
5
7
-
-
2
2
2
2
1
1
-
-
5.5
5.5
最大
1000
4.5
5
7
8.6
-
-
2
2.5
2.5
2
1
1
-
-
6
6
ns
-7
最大
1000
6
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
M12L16161A
1
1
2
3
3
3
3
2
输出数据保持时间
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK输出在
高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
*所有AC参数测量的一半一半。
注意:
1.Parameters取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.Assumed输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的,短暂的时间补偿,应考虑,即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到
参数。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
五月。 2005年
调整
:
2.4
7/30