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M12L16161A_08 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A_08图片预览
型号: M12L16161A_08
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 695 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
SDRAM
M12L16161A
512K X 16Bit的X 2Banks
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟( 2 & 3 )
-
突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
-
突发类型(顺序&交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期( 2K周期)
概述
该M12L16161A是16777216位同步高
数据速率动态随机存储器组织成2× 524,288字经
16位,制造高性能CMOS技术。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟的I / O事务是可能的每一个
时钟周期。工作频率范围,可编程
突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽,高有用
高性能内存系统的应用程序。
订购信息
产品型号
M12L16161A-5TG
M12L16161A-7TG
M12L16161A-7BG
最大频率。
200MHz
143MHz
143MHz
包装评论
TSOP (II)的
TSOP (II)的
VFBGA
无铅
无铅
无铅
引脚配置(顶视图)
1
A
VSS
2
DQ15
3
4
5
6
DQ0
7
VDD
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
N.C / RFU
UDQM
CLK
CKE
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50PIN TSOP (II)的
( 400mil X 825mil )
(0.8毫米针距)
B
DQ14
VSSQ
VDDQ
DQ1
C
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
D
DQ12
DQ11
DQ4
DQ3
E
DQ10
VSSQ
VDDQ
DQ5
F
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
G
DQ8
NC
NC
DQ7
H
NC
NC
NC
NC
J
NC
UDQM
LDQM
WE
K
NC
CLK
RAS
CAS
L
CKE
NC
NC
CS
M
BA
A9
NC
NC
N
A8
A7
A0
A10
P
A6
A5
A2
A1
60球VFBGA
(6.4x10.1mm)
( 0.65毫米焊球间距)
R
VSS
A4
A3
VDD
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年9月
调整
:
2.7
1/29