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    M12L16161A_08 参数 Datasheet PDF下载

    M12L16161A_08图片预览
    型号： M12L16161A_08
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 29 页 / 695 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第14页浏览型号M12L16161A_08的Datasheet PDF文件第15页  
    ESMT
    2.银行主动&读/写由BA控制。
    M12L16161A
    *注意：
    1.所有输入期望CKE & DQM可以不在乎，当CS为高电平在CLK高边沿。
    BA
    0
    1
    主动&读/写
    银行
    B组
    3.Enable和禁用自动预充电功能，通过A10 / AP的读/写命令控制。
    A10/AP
    0
    BA
    0
    1
    1
    0
    1
    手术
    禁用自动预充电，离开银行一个活跃在突发结束。
    禁用自动预充电，离开银行B活跃在突发结束。
    启用自动预充电，预充电A银行在突发结束。
    启用自动预充电，在突发预充电结束B银行。
    4.A10 / AP和BA控制银行预充电，当充电命令是断言。
    A10/AP
    0
    0
    1
    BA
    0
    1
    X
    预充电
    银行
    B组
    两家银行
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2008年9月
    调整
    :
    2.7
    11/29

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