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M12L16161A-4.3T 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A-4.3T图片预览
型号: M12L16161A-4.3T
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 568 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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M12L16161A
512K X 16位X 2Banks同步DRAM
特点
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概述
JEDEC标准的3.3V电源
该M12L16161A是16777216位同步的
LVTTL与复用地址兼容
动态随机存储器组织成理性的高数据速率
双银行操作
2× 524,288字×16位,与制作
MRS周期与解决关键程序
高性能CMOS技术。同步的
- CAS延迟( 2 & 3 )
理性的设计允许与精确的周期控制
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
使用系统时钟的I / O事务是可能的
- 突发类型(顺序&交错)
在每个时钟周期。操作频范围
所有的输入进行采样,正边沿quencies ,可编程的突发长度和亲
可编程延迟允许在同一个设备要
系统时钟的
突发读取单位写操作
对于各种高带宽是有用的,高
高性能内存系统的应用程序。
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期( 2K周期)
订购信息
产品型号
M12L16161A-4.3T
M12L16161A-5T
M12L16161A-5.5T
M12L16161A-6T
M12L16161A-7T
M12L16161A-8T
最大频率。
233MHz
200MHz
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
接口
LVTTL
50
TSOP (II)的
引脚配置(顶视图)
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
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9
10
11
12
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25
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32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
N.C / RFU
UDQM
CLK
CKE
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50PIN TSOP (II)的
( 400mil X 825mil )
(0.8毫米针距)
晶豪科科技有限公司
P.1
出版日期: 2000年1月
修订: 1.3u