ESMT
SDRAM
M12L2561616A （2K）
4M ×16位×4银行
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序及放大器;交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单一写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
订购信息
产品编号
M12L2561616A-5TG2K
M12L2561616A-5BG2K
M12L2561616A-6TG2K
M12L2561616A-6BG2K
M12L2561616A-7TG2K
M12L2561616A-7BG2K
最大频率。
200MHz
200MHz
166MHz
166MHz
143MHz
143MHz
包
TSOP II
BGA
TSOP II
BGA
TSOP II
BGA
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该M12L2561616A是268435456位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4× 4,194,304字×16位。
同步设计允许在每个时钟周期中使用系统时钟的I / O事务处理可精确的周期控制。
的工作频率范围，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能存储系统的应用程序。
引脚配置（顶视图）
（ TSOPII 54L ， 400milX875mil身体， 0.8毫米引脚间距）
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
S SQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
S SQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
BALL配置（顶视图）
（ BGA54 ， 8mmX8mmX1mm身体，球间距为0.8mm ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
A12
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2012年6月
修订： 1.4
1/45
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
