ESMT
SDRAM
M12L32162A
1米x 16Bit的X 2Banks
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟（ 2 & 3 ）
-
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
-
突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
概述
该M12L32162A是33554432位同步高
数据速率动态随机存储器组织成2× 1,048,576字
由16位，制造具有高性能的CMOS
技术。同步设计允许精确周期
通过使用系统时钟I控制/ O交易
可能在每一个时钟周期。经营范围
频率，可编程的突发长度和可编程
延迟允许在同一设备是为各种有用的
高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品编号
M12L32162A-6TG
M12L32162A-7TG
最大频率。
包
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
M12L32162A - 5.5TG 183MHz 54Pin TSOP （II）的
166MHz的54Pin TSOP （ II ）
143MHz下54Pin TSOP （ II ）
54球BGA
M12L32162A - 5.5BG 183MHz
M12L32162A-6BG
M12L32162A-7BG
166MHz
143MHz
54球BGA
54球BGA
引脚配置（顶视图）
54脚TSOP （ II ）
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
S SQ
DQ14
DQ13
V
ð DQ
DQ12
DQ11
V
S SQ
DQ10
DQ9
V
ð DQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
54球BGA封装（ 8mmx8mm ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
V
SS
DQ14
DQ12
2
DQ15
DQ13
DQ11
3
V
SSQ
4
5
6
7
V
DDQ
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
9
V
DD
DQ1
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
DQ3
DQ5
DQ10
DQ9
DQ8
NC
CLK
A11
V
SS
V
DD
LDQM
DQ7
WE
CS
A10
V
DD
UDQM
CKE
A9
CAS
BA
A0
A9
RAS
NC
NC
A8
V
SS
A7
A5
A6
A4
A1
A2
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年3月
调整
:
1.2
1/29
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
