ESMT
SDRAM
M12L64322A （ 2U ）
512K ×32位×4银行
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序及放大器;交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
值为15.6μs刷新间隔
订购信息
产品编号
M12L64322A-5TG2U
M12L64322A-6TG2U
M12L64322A-7TG2U
M12L64322A-5BG2U
M12L64322A-6BG2U
M12L64322A-7BG2U
最大频率。
200MHz
166MHz
143MHz
200MHz
166MHz
143MHz
包
86 TSOPII
86 TSOPII
86 TSOPII
90 BGA
90 BGA
90 BGA
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该M12L64322A为67,108,864比特同步高数据速率动态随机存储器组织成4× 524,288字由32位。
同步设计允许在每个时钟周期中使用系统时钟的I / O事务处理可精确的周期控制。
的工作频率范围，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能存储系统的应用程序。
引脚配置（顶视图）
（ TSOPII 86L ， 400milX875mil身体， 0.5毫米引脚间距）
V
D D
DQ 0
V
DD Q
DQ 1
DQ 2
V
SSQ
DQ 3
DQ 4
V
DD Q
DQ5
DQ6
V
SS Q
DQ7
NC
V
D D
DQ M 0
WE
CAS
RAS
CS
NC
B A0
B A1
A 1 0 / A P
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ 1 6
V
SSQ
DQ 1 7
DQ 1 8
V
DDQ
DQ 1 9
DQ 2 0
V
SSQ
DQ 2 1
DQ 2 2
V
DDQ
ð Q2 3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DD Q
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
V
SS Q
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
V
SS Q
DQ24
V
SS
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2010年4月
修订： 1.0
1/46
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
