M12L64164A-5BIG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M12L64164A-5BIG
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内容描述：	1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	45 页 / 821 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

ESMT

参数

输入电平（ VIH / VIL）

输入定时测量参考电平

输入上升和下降时间

输出定时测量参考电平

输出负载条件

价值

2.4/0.4

1.4

TR / TF = 1/1

1.4

SEE图。 2

M12L64164A

工作温度条件-40 ° C〜 85°C

AC运行试验条件

（ VDD = 3.3V

0.3V

，TA

= -40〜 85

C )

单位

3.3V

1200

Ω

产量

870

Ω

50pF

（DC ）= 2.4V时，我

= -2毫安

（ DC ）= 0.4V时，我

= 2毫安

产量

Z0 =50

Ω

VTT = 1.4V

Ω

50pF

（图1 ）直流输出负载电路

（图2 ） AC输出负载电路

经营AC参数

（交流工作条件，除非另有说明）

参数

行有效至行主动延迟

RAS到CAS延迟

行预充电时间

行活动时间

@工作

行周期时间

@自动刷新

最终数据以山坳。地址的延迟

在过去的数据来行预充电

在最后的数据以突发停止

上校地址上校地址的延迟

有效数

输出数据

符号

-5

RRD （分钟）

RCD （分钟）

RP （分钟）

RAS （分钟）

RAS （最大）

RC （分钟）

RFC （分钟）

CDL （分钟）

RDL （分钟）

BDL （分钟）

的CCD （分钟）

CAS延时= 3

CAS延时= 2

VERSION

-6

100

-7

CLK

1,5

单位

记

注：1个时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间，然后需要的最短时间来确定

四舍五入到下一个较大整数。

2.最小的延迟，需要完成与。

3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。

4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。

5.新的命令，可给予吨

RFC

后自刷新退出。

晶豪科科技有限公司

出版日期：

十二月

2007

修订： 1.2

6/45

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