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M12L64164A-7TA 参数 Datasheet PDF下载

M12L64164A-7TA图片预览
型号: M12L64164A-7TA
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内容描述: 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 44 页 / 811 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
SDRAM
M12L64164A
工作温度条件-25 ℃〜85℃
1M ×16位×4银行
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 突发类型(顺序&交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
15.6
µ
s刷新间隔
订购信息
54引脚TSOP ( II型)
( 400mil X 875mil )
产品编号
M12L64164A-6TA
M12L64164A-7TA
最大频率。
166MHz
143MHz
TSOP II
概述
该M12L64164A为67,108,864比特同步高数据速率动态随机存储器组织成4× 1,048,576字经
16位。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围,可编程突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽,高性能存储系统的应用是有用的。
引脚分配
顶视图
V
DD
DQ 0
V
DD Q
DQ 1
DQ 2
V
SSQ
DQ 3
DQ 4
V
DD Q
DQ 5
DQ 6
V
SSQ
DQ 7
V
DD
L DQ M
WE
c以
为r
CS
A
13
A
12
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DD Q
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ 9
V
DD Q
DQ 8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2004年12月
修订: 0.1
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