ESMT
SDRAM
M12L64322A
工作温度条件-40
°
C ~ 85
°
C
512K ×32位×4银行
同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序及放大器;交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
值为15.6μs刷新间隔
订购信息
产品编号
M12L64322A-6TIG
M12L64322A-6BIG
最大频率。包装评论
166MHz
166MHz
TSOPII
90BGA
无铅
无铅
概述
该M12L64322A为67,108,864比特同步高数据速率动态随机存储器组织成4× 524,288字由32位。
同步设计允许在每个时钟周期中使用系统时钟的I / O事务处理可精确的周期控制。
的工作频率范围，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能存储系统的应用程序。
管脚配置
顶视图
V
DD
DQ0
V
DD Q
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DD Q
DQ5
DQ6
V
S S小Q
DQ7
NC
V
DD
DQ M 0
WE
CA中
RA S
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
二维量子力学2
V
DD
NC
DQ 16
V
SS Q
DQ 17
DQ 18
V
DD Q
DQ 19
DQ 20
V
SS Q
DQ 21
DQ 22
V
DD Q
DQ 23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
S S
DQ1 5
V
SSQ
DQ1 4
DQ1 3
V
DD Q
DQ1 2
DQ1 1
V
SSQ
DQ 10
DQ9
V
DD Q
DQ8
NC
V
S S
DQ M 1
NC
NC
CL ķ
CK ê
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQ M 3
V
S S
NC
DQ3 1
V
DD Q
DQ3 0
DQ2 9
V
SSQ
DQ2 8
DQ2 7
V
DD Q
DQ2 6
DQ2 5
V
SSQ
DQ2 4
V
S S
8 6引脚TSOP （ II ）
（ 400mil X 875mil ）
（中坑CH 0 0.5米米P）
晶豪科科技有限公司
出版日期：三月2007年
调整
:
1.2
1/46
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
