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M12S128168A-6BG 参数 Datasheet PDF下载

M12S128168A-6BG图片预览
型号: M12S128168A-6BG
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内容描述: 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 1036 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
= 2.5V
±
0.2V
T
A
= 0至70
°
C
)
参数
输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
0.9xV
DDQ
/0.2
0.5xV
DDQ
TR / TF = 1/1
0.5xV
DDQ
SEE图。 2
M12S128168A
单位
V
V
ns
V
(图1 )直流输出负载电路
(图2 ) AC输出负载电路
经营AC参数
(交流工作条件,除非另有说明)
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
@工作
行周期时间
@自动刷新
符号
-6
t
RRD (分钟)
t
RCD (分钟)
t
RP (分钟)
t
RAS (分钟)
t
RAS (最大)
t
RC (分钟)
t
RFC (分钟)
t
CDL (分钟)
t
RDL (分钟)
t
BDL (分钟)
t
REF (最大)
58
60
12
18
18
40
VERSION
-7
14
20
20
42
100
63
70
1
2
1
64
90
100
-8
20
30
30
60
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ms
1
1,5
2
2
2
6
1
1
1
1
单位
最终数据以山坳。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
刷新周期( 4096行)
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年4月
修订: 1.1
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