欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M13S128168A_1 参数 Datasheet PDF下载

M13S128168A_1图片预览
型号: M13S128168A_1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 2M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 1582 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
 浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S128168A_1的Datasheet PDF文件第9页  
ESMT
DDR SDRAM
特点
JEDEC标准
内部流水线双数据速率的体系结构,在每个时钟周期2的数据访问
双向数据选通( DQS)
片上DLL
差分时钟输入( CLK和CLK )
DLL对齐DQ和DQS与CLK的过渡转型
四银行操作
CAS延迟: 3
突发类型:顺序和交错
突发长度: 2 , 4 , 8
除了数据& DM进行采样的系统时钟的上升沿的所有输入(CLK)
我的数据在数据选通信号的两边/ O转换( DQS )
DQS是边沿对齐的数据进行读取;中心对齐与写入数据
数据屏蔽( DM)只写屏蔽
V
DD
= 2.375V ~ 2.75V, V
DDQ
= 2.375V ~ 2.75V
自动&自我刷新
15.6us刷新间隔( 64ms的刷新周期, 4K周期)
SSTL - 2 I / O接口
66pin TSOPII和60球BGA封装
M13S128168A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
2M ×16位×4银行
双倍数据速率SDRAM
订购信息:
产品编号
M13S128168A -5TIG
M13S128168A -6TIG
M13S128168A -5BIG
M13S128168A -6BIG
最大频率
200MHz
166MHz
200MHz
166MHz
VDD
2.5V
TSOPII
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
2.5V
BGA
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年3月
修订: 1.2
1/49