欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M13S128324A 参数 Datasheet PDF下载

M13S128324A图片预览
型号: M13S128324A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1M ×32位×4银行双倍数据速率SDRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 882 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
 浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M13S128324A的Datasheet PDF文件第11页  
ESMT
AC运行试验条件
参数
输入参考电压时钟(V
REF
)
输入信号的最大峰值摆幅
输入信号的最小转换速率
输入电平(V
IH
/V
IL
)
输入定时测量参考电平
输出时序参考电平
价值
0.5*V
DDQ
1.5
1.0
V
REF
+0.35/V
REF
-0.35
V
REF
V
TT
M13S128324A
工作温度条件-40〜 85°C
单位
V
V
V / ns的
V
V
V
AC时序参数&规格
(V
DD
= 2.375V~2.75V, V
DDQ
= 2.375V 〜 2.75V ,T
A
= -40 ° C至85°C ) (注)
参数
CL2
CL2.5
时钟周期
CL3
CL4
从CLK / CLK访问时间
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
数据选通边缘到时钟边沿
钟先上升DQS延迟边缘
输入数据和DM的设置时间( DQS )
数据输入和DM保持时间(以DQS)
DQ和DM输入脉冲宽度(每个输入)
符号
-5
7.5
6.0
最大
12
12
12
12
+0.7
0.55
0.55
+0.7
1.2
-
-
-
-
-
-
0.6
0.6
-
-
0.45
+0.7
+0.7
7.5
6.0
6.0
6.0
-0.7
0.45
0.45
-0.7
0.8
0.45
0.45
1.75
1.0
1.0
2.2
0.4
0.4
0.2
0.2
-
-0.7
-0.7
-6
最大
12
12
ns
12
12
+0.7
0.55
0.55
+0.7
1.2
-
-
-
-
-
-
0.6
0.6
-
-
0.45
+0.7
+0.7
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
5.0
5.0
t
AC
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
DQSS
t
DS
t
DH
t
DIPW
t
IS
t
IH
t
IPW
t
DQSH
t
DQSL
t
DSS
t
DSH
t
DQSQ
t
HZ
t
LZ
-0.7
0.45
0.45
-0.7
0.8
0.45
0.45
1.75
1.0
1.0
2.2
0.4
0.4
0.2
0.2
-
-0.7
-0.7
输入设置时间(快速压摆率)
输入保持时间(快速压摆率)
控制和地址输入脉冲宽度
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CLK上升沿建立时间
DQS下降沿从CLK上升沿保持时间
数据选通的边缘,以输出数据边缘
从数据输出高阻抗窗口
CLK /
CLK
从数据输出低阻抗窗口
CLK / CLK
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2007年12月
修订: 1.0
7/49