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M13S2561616A-5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M13S2561616A-5TIG图片预览
型号: M13S2561616A-5TIG
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内容描述: 4M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 1315 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC运行试验条件
参数
输入参考电压时钟(V
REF
)
输入信号的最大峰值摆幅
输入信号的最小转换速率
输入电平(V
IH
/V
IL
)
输入定时测量参考电平
输出时序参考电平
价值
0.5*V
DDQ
1.5
1.0
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
REF
V
TT
单位
V
V
V / ns的
V
V
V
M13S2561616A
工作温度条件-40〜 85°C
AC时序参数&规格
(V
DD
= 2.3V~2.7V, V
DDQ
= 2.3V 〜 2.7V ,T
A
=-40
°
C
~ 85
°
C
)
参数
CL2
时钟周期
CL2.5
CL3
从CLK / CLK访问时间
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
数据选通边缘到时钟边沿
钟先上升DQS延迟边缘
输入数据和DM的设置时间( DQS )
数据输入和DM保持时间(以DQS)
DQ和DM输入脉冲宽度(每个输入)
符号
-5
7.5
最大
10
10
10
+0.75
0.55
0.55
+0.55
1.15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.40
+0.7
+0.7
7.5
6
6.0
+0.75
0.45
0.45
-0.6
0.85
0.6
0.45
1.75
0.75
0.75
0.8
0.8
2.2
0.35
0.35
0.2
0.2
-
-0.7
-0.7
-6
最大
12
12
10
+0.75
0.55
0.55
+0.6
1.15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
0.45
+0.7
+0.7
ns
ns
ns
ns
t
CK
5
5.0
t
AC
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
DQSS
t
DS
t
DH
t
DIPW
t
IS
t
IH
t
IS
t
IH
t
IPW
t
DQSH
t
DQSL
t
DSS
t
DSH
t
DQSQ
t
HZ
t
LZ
-0.75
0.45
0.45
-0.55
0.85
0.6
0.45
1.75
0.75
0.75
0.8
0.8
2.2
0.35
0.35
0.2
0.2
-
-0.7
-0.7
输入设置时间(快速压摆率)
输入保持时间(快速压摆率)
输入建立时间(慢摆率)
输入保持时间(慢摆率)
控制和地址输入脉冲宽度
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CLK上升沿建立时间
DQS下降沿从CLK上升沿保持时间
数据选通的边缘,以输出数据边缘
从数据输出高阻抗窗口
CLK /
CLK
从数据输出低阻抗窗口
CLK / CLK
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2007年12月
修订: 1.1
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