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    M13S5121632A 参数 Datasheet PDF下载

    M13S5121632A图片预览
    型号： M13S5121632A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 47 页 / 966 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S5121632A的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    DDR SDRAM
    特点
    JEDEC标准
    内部流水线双数据速率的体系结构，在每个时钟周期2的数据访问
    双向数据选通（ DQS）
    片上DLL
    差分时钟输入（ CLK和CLK ）
    DLL对齐DQ和DQS与CLK的过渡转型
    四银行操作
    CAS延迟： 2 ; 2.5 ; 3
    突发类型：顺序和交错
    突发长度： 2 ， 4 ， 8
    除了数据& DM进行采样的系统时钟的上升沿的所有输入（CLK）
    我的数据在数据选通信号的两边/ O转换（ DQS ）
    DQS是边沿对齐的数据进行读取;中心对齐与写入数据
    数据屏蔽（ DM）只写屏蔽
    V
    DD
    , V
    DDQ
    = 2.5V ~ 2.7V
    自动&自我刷新
    7.8us刷新间隔（ 64ms的刷新周期， 8K循环）
    SSTL - 2 I / O接口
    66pin TSOPII封装
    M13S5121632A
    8M ×16位×4银行
    双倍数据速率SDRAM
    订货信息：
    产品编号
    M13S5121632A -5TG
    最大频率
    200MHz
    VDD
    2.5V
    包
    TSOPII
    评论
    无铅
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2008年10月
    修订： 1.0
    1/47

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