ESMT
DC特定网络阳离子
（ IDD值电压和温度的操作范围内）
参数
符号
测试条件
一家银行;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RC
= t
RC
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD）分钟;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
一家银行;我
OUT
= 0毫安;
BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RC
= t
RC
（ IDD ） ，
t
RAS
= t
RAS
（ IDD ）分钟，T
RCD
= t
RCD
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据模式是相同IDD4W
所有银行闲置;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE低;
其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE为高电平， CS为高电平;
其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE为高电平， CS为高电平;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
所有银行开放;
t
CK
= t
CK
（ IDD） ; CKE低;
其它的控制和地址总线输入
是稳定的;
数据总线输入浮动
快PDN退出
刘健（ 12 ） = 0
慢PDN退出
刘健（ 12 ） = 1
15
M14D2561616A
VERSION
-2.5
-3
单位
工作电流
（活动 - 预充电）
IDD0
70
65
mA
工作电流
（活动 - 阅读 -
预充电）
IDD1
85
80
mA
预充电
掉电
待机电流
IDD2P
10
10
mA
预充电安静
待机电流
IDD2Q
15
15
mA
空闲待机电流IDD2N
20
20
mA
15
mA
主动掉电
待机电流
IDD3P
12
12
主动待机
当前
IDD3N
所有银行开放;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD ）最大，T
RP
= t
RP
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
所有银行开放，连续的突发读取，我
OUT
= 0毫安;
BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD ）最大，T
RP
= t
RP
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据模式是相同的IDD4W ;
所有银行开放，连拍写入;
BL = 4， CL = CL （IDD） ，AL = 0;
t
CK
= t
CK
（ IDD ） ，T
RAS
= t
RAS
（ IDD ）最大，T
RP
= t
RP
（ IDD） ;
CKE为高电平， CS为高电平有效命令的;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
40
35
mA
工作电流
（READ ）
IDD4R
170
145
mA
工作电流
（写）
IDD4W
160
140
mA
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
6/59
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
