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M24L216128DA-55TEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L216128DA-55TEG图片预览
型号: M24L216128DA-55TEG
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内容描述: 2兆位( 128K ×16 )伪静态RAM [2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 345 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
PSRAM
特点
“高级
低功耗架构
•高速: 55纳秒, 70纳秒
•宽电压范围: 2.7V至3.6V
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
•低待机功耗
•自动断电时取消
M24L216128DA
2兆位( 128K ×16)个
伪静态RAM
功能说明
该M24L216128DA是一个高性能的CMOS伪
16位组织为128K字的静态RAM ( PSRAM )的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计,提供超低活跃
电流。这非常适合于便携式应用,如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式,
取消选择时降低功耗的显着
(高CE1 , CE2低或两者
BHE
BLE
是HIGH ) 。
的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在一个
当芯片被取消( CE1高阻抗状态
HIGH , LOW CE2 )或OE被拉高HIGH) ,或在
写操作(芯片使能和写使能
WE
低) 。
从设备读取由断言来实现
芯片启用( CE1 LOW和HIGH CE2 )和输出使能
( OE )低,而强迫写使能(
WE
)高。如果字节
低使能(
BLE
)为低电平,那么从存储器数据
由地址引脚指定的位置将出现在I / O的
0
to
I / O
7
。如果高字节使能(
BHE
)为低电平,那么从数据
内存将出现在I / O
8
到I / O
15
。沸腾真值表
读写模式,完整的描述。
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.2
1/14