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    M24L216128DA-55TEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L216128DA-55TEG图片预览
    型号： M24L216128DA-55TEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2兆位（ 128K ×16 ）伪静态RAM [2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 345 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L216128DA-55TEG的Datasheet PDF文件第10页  
    ESMT
    开关特性在工作范围（续） [ 10 ]
    参数
    t
    PWE
    t
    BW
    t
    SD
    t
    HD
    t
    HZWE
    t
    LZWE
    描述
    WE
    时脉宽度
    BLE
    /
    BHE
    低到写结束
    M24L216128DA
    -55
    分钟。
    40
    50
    25
    0
    25
    5
    5
    马克斯。
    分钟。
    55
    55
    25
    0
    -70
    马克斯。
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    25
    ns
    ns
    数据建立到写结束
    从写端数据保持
    WE
    从低到高-Z [11 ， 12 ]
    WE
    前高后低-Z [11 ， 12 ]
    开关波形
    读周期1 （地址转换控制） [ 14 ， 15 ， 16 ]
    读周期2 （
    OE
    控制） [14 ， 16]
    注意事项：
    15.设备不断选择。 OE ， CE1 = V
    IL
    和CE2 = V
    IH
    .
    16.
    WE
    为高的读周期。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2008年7月
    调整
    :
    1.2
    6/14

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