ESMT
PSRAM
特点
•宽电压范围： 2.7V - 3.6V
•存取时间： 55纳秒， 70纳秒
•超低有功功率
- 典型工作电流：为1mA F = 1兆赫
- 典型工作电流：14毫安F = f最大（ 55纳秒）
- 典型工作电流：8毫安F = f最大（ 70纳秒）
•超低待机功耗
•自动断电时取消
• CMOS的最佳速度/功耗
M24L216128SA
2兆位（ 128K ×16）个
伪静态RAM
当两个高字节使能和低字节使能是
禁用（
BHE
,
BLE
高） ，或者在写操作期间
（ CE和LOW
WE
低） 。
写设备通过发出芯片完成
使能（ CE LOW）和写使能（
WE
）输入低电平。如果
低字节使能（
BLE
）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（
BHE
）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
16
).
从设备中读取被断言芯片完成
使能（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（
WE
）高。如果低字节使能
(
BLE
）为低电平，那么从所述存储器位置指定数据
通过地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节高
启用（
BHE
）为低电平，然后从存储器中的数据将出现在
I / O
8
到I / O
15
。请参考真值表的完整说明
读写模式。
功能说明
该M24L216128SA是一个高性能的CMOS伪
通过16位支持组织为128K字的静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这非常适合于便携式应用，如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式时
取消选择（ CE为高或都
BHE
和
BLE
是HIGH ） 。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗当芯片被取消选中状态（ CE
高）时，或当输出被禁止（
OE
高） ，或
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.2
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ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
