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M24L28256DA-55BEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L28256DA-55BEG图片预览

型号：	M24L28256DA-55BEG
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	2兆位（ 256K ×8 ）伪静态RAM [2-Mbit (256K x 8) Pseudo Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 225 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

PSRAM

特点

•先进的低功耗架构

•高速： 55纳秒， 70纳秒

•宽电压范围： 2.7V至3.3V

•典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫

•低待机功耗

•自动断电时取消

M24L28256DA

2兆位（ 256K ×8 ）

伪静态RAM

启用（

WE

）输入低和芯片使能两（ CE

2

）输入

HIGH 。在8个I / O引脚的数据（I / O

0

通过I / O

7

）然后

写入的地址引脚指定的位置（A

0

至A

17

).

从设备读取由断言来实现

芯片使能一个（ CE

1

）和输出使能（ OE ）输入

低，而强迫写使能（

WE

）高。和芯片

启用两个（ CE

2

）高。在这些条件下，该

由地址引脚指定的存储单元的内容

将出现在I / O引脚。

八个输入/输出引脚（ I / O

0

通过I / O

7

）被放置在一个

高阻抗设备时，取消选择状态（ CE

1

高或CE

2

LOW ）时，输出被禁用（ OE高），或

在写操作期间（CE

1

低，CE

2

高，并

WE

LOW ）。见真情表中读取一个完整的描述

写模式。

功能说明

该M24L28256DA是一个高性能的CMOS伪

由8位， 256K字的静态RAM （ PSRAM ）。

容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供

使能（ CE

1

）和高电平有效芯片使能（ CE

2

），以及活性

低输出使能（ OE ）。该设备具有自动

掉电功能，可降低功耗

显着的时候取消。写器件是

通过断言芯片使能一（ CE完成

1

）和写

逻辑框图

晶豪科科技有限公司

出版日期

:

2007年7月

调整

:

1.0

1/10

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